Emerging Resistive Switching Memories - Brossura

Ouyang, Jianyong

 
9783319315706: Emerging Resistive Switching Memories
Brossura
ISBN 10: 3319315706 ISBN 13: 9783319315706
Casa editrice: Springer, 2016

Sinossi

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.

Le informazioni nella sezione "Riassunto" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Informazioni sull?autore

Jianyong Ouyang is an Associate Professor in the Department of Materials Science and Engineering at National University of Singapore.

Dalla quarta di copertina


Le informazioni nella sezione "Su questo libro" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Editore
Springer
Data di pubblicazione
2016
Lingua
Inglese
ISBN 10 
3319315706
ISBN 13 
9783319315706
Rilegatura
Copertina flessibile
Numero edizione
1
Numero di pagine
104
Contatto del produttore
non disponibile
Persona responsabile
CMN Printpool Inh. Mathis Neumann
https://www.also.com/ec/cms5/en_6000/6000/index.jsp

Friedrich-Karl-Str. 9
Hamburg
Germania

Altre edizioni note dello stesso titolo

9783319315713: Emerging Resistive Switching Memories

Edizione in evidenza

ISBN 10:  3319315714 ISBN 13:  9783319315713
Casa editrice: Springer, 2016
Brossura