9783319315706 - emerging resistive switching memories di ouyang, jianyong (19 risultati)
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description…of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Emerging Resistive Switching Memories | Jianyong Ouyang | Taschenbuch | SpringerBriefs in Materials | viii | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783319315706 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbie…ter: preigu.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concr…ete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices. 104 pp. Englisch.
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Kartoniert / Broschiert. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Details how charge trapping can occur on nanoparticles and at interface between bulk metal and metal nanoparticlesExplains how charge transfer can lead to resistive switchesDemonstrates how c…onductive f.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete…description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 104 pp. Englisch.
