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Sinossi
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
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Jianyong Ouyang is an Associate Professor in the Department of Materials Science and Engineering at National University of Singapore.
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Resistive Switching Memory Devices with Nanoparticles
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Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Details how charge trapping can occur on nanoparticles and at interface between bulk metal and metal nanoparticlesExplains how charge transfer can lead to resistive switchesDemonstrates how conductive f. Codice articolo 117747180
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Emerging Resistive Switching Memories
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Springer International Publishing Jul 2016, 2016
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices. 104 pp. Englisch. Codice articolo 9783319315706
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Emerging Resistive Switching Memories
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices. Codice articolo 9783319315706
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Emerging Resistive Switching Memories
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Neuware -This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 104 pp. Englisch. Codice articolo 9783319315706
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Emerging Resistive Switching Memories
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