Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs - Rilegato

Libro 3 di 17: Computational Microelectronics

Sverdlov, Viktor

 
9783709103814: Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs
Rilegato
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Casa editrice: Springer Nature, 2010

Sinossi

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Le informazioni nella sezione "Riassunto" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Dalla quarta di copertina

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effectson transport is an important task of modern simulation tools required fordevice design. The book covers all relevant modeling approaches used todescribe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductorfilms is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotentialmethods. A rigorous overview of transport modeling in straineddevices is given

Le informazioni nella sezione "Su questo libro" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Editore
Springer Nature
Data di pubblicazione
2010
Lingua
Inglese
ISBN 10 
3709103819
ISBN 13 
9783709103814
Rilegatura
Copertina rigida
Numero di pagine
252
Contatto del produttore
ProductSafety@springernature.com
ProductSafety@springernature.com

Poststr. 9
Darmstadt
64293
Germania

Altre edizioni note dello stesso titolo

9783709119334: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Edizione in evidenza

ISBN 10:  3709119332 ISBN 13:  9783709119334
Casa editrice: Springer, 2016
Brossura