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9783709103814 - Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs di Sverdlov, Viktor (12 risultati)
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Computational Microelectronics: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 39,38
Spedizione EUR 20,99
Spedito da Repubblica Ceca a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Fair. Spuren von Feuchtigkeit / Nässe; Leichte Rillen / Abschürfungen / Risse / Knicke; Gebrochener Buchrücken. Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Basi6 International, Irving, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 268.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 139,91
Spedizione EUR 7,52
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 268 101 Illus.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 139,65
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 268.
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EUR 136,16
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 188,78
Spedizione EUR 13,87
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsLingua: Inglese
Editore: Springer Vienna, Springer Vienna, 2010
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
EUR 160,49
Spedizione EUR 63,16
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-induced Effects in Advanced Mosfets
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 235,32
Spedizione EUR 14,47
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 266 pages. 9.69x6.77x0.71 inches. In Stock.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsDa: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 160,49
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 di 17: Computational MicroelectronicsLingua: Inglese
Editore: Springer Vienna, Springer Vienna Nov 2010, 2010
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 160,49
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 268 pp. Englisch.
