Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology

Lingua: inglese

Editore: Springer Netherlands Dez 2000, 2000

0792366859 / 9780792366850

Serie: Libro 4 di 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy. 636 pp. Englisch.

Codice articolo 9780792366850

Titolo
Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Autore
Gianfranco Pacchioni
Editore
Springer Netherlands Dez 2000
Anno di pubblicazione
2000
Condizione
Neu
Rilegatura
Buch
Lingua
inglese
ISBN 10
0792366859
ISBN 13
9780792366850
Peso dell'articolo
1109 grammi
Dimensioni
241x160x39 mm
Serie
Libro 4 di 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry

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