Electrical Activation Studies of ION Implanted Gallium Nitride

Lingua: inglese

Editore: BIBLIOSCHOLAR, 2012

1249829909 / 9781249829904

Da: moluna, Greven, Germaniamoluna

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KlappentextrnrnA comprehensive and systematic electrical activation study of Si-implanted gallium nitride (GaN) was performed as a function of ion implantation dose, anneal temperature, and implantation temperature. Additionally, acceptor-implan.

Codice articolo 6488904

Titolo
Electrical Activation Studies of ION Implanted Gallium Nitride
Autore
Fellows, James A.
Editore
BIBLIOSCHOLAR
Anno di pubblicazione
2012
Condizione
New
Rilegatura
Brossura
Lingua
inglese
ISBN 10
1249829909
ISBN 13
9781249829904

moluna

Greven, Germania

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