Da: Pink Casa Antiques, Frankfort, KY, U.S.A.
Hardcover. Condizione: Very Good. hardcover with dust jacket, tight, pages clear and bright, shelf and edge wear, corners bumped, packaged in cardboard box for shipment, tracking on U.S. orders.
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Paperback or Softback. Condizione: New. Electrical Activation Studies of Ion Implanted Gallium Nitride. Book.
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Aggiungi al carrelloCondizione: New. KlappentextrnrnA comprehensive and systematic electrical activation study of Si-implanted gallium nitride (GaN) was performed as a function of ion implantation dose, anneal temperature, and implantation temperature. Additionally, acceptor-implan.
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Lingua: Inglese
Editore: Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1249829909 ISBN 13: 9781249829904
Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania
EUR 75,50
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - A comprehensive and systematic electrical activation study of Si-implanted gallium nitride (GaN) was performed as a function of ion implantation dose, anneal temperature, and implantation temperature. Additionally, acceptor-implanted GaN was also investigated. Temperature-dependent Hall effect measurements from 10-800 K and photoluminescence (PL) spectra taken from 3-300 K were used to characterize the samples. GaN wafers capped with 500 A1N were implanted at room temperature and at 800 oC with 200 keV Si ions at doses ranging from 1x1013 to 5x1015 cm-2 and annealed from 1050 to 1350 oC for 5 min to 17 sec in a flowing nitrogen environment.
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
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Condizione: New. Print on Demand pp. 224.
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