The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.

Le informazioni nella sezione "Su questo libro" possono far riferimento a edizioni diverse di questo titolo.

Descrizione libreria

Visita la pagina della libreria

Informazioni sull?azienda del venditore

Edward Bowditch Ltd
Exstowe, Exton, Exeter, EX3 0PP, United Kingdom

Condizioni di vendita e spedizione

Condizioni di vendita

Legal entity name: Edward Bowditch Ltd
Legal entity form: Limited company
Business correspondence address: Exstowe, Exton, Exeter, EX3 0PP
Company registration number: 04916632
VAT registration: GB834241546
Authorised representative: Mr. E. Bowditch

Diritto di recesso

Condizioni di spedizione

Orders usually dispatched within two working days.

Tariffe di spedizione da Regno Unito a U.S.A.

Tariffe di spedizione da Regno Unito a U.S.A.
Quantit� dell?ordine	Da 7 a 18 giorni lavorativi	Da 2 a 5 giorni lavorativi
Primo articolo	EUR 28.70	EUR 28.70

I tempi di consegna sono stabiliti dai venditori e variano in base al corriere e al paese. Gli ordini che devono attraversare una dogana possono subire ritardi e spetta agli acquirenti pagare eventuali tariffe o dazi associati. I venditori possono contattarti in merito ad addebiti aggiuntivi dovuti a eventuali maggiorazioni dei costi di spedizione dei tuoi articoli.