Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs

Lingua: inglese

Editore: SPS Jul 2015, 2015

3639708024 / 9783639708028

Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Rupendra Kumar Sharma received Ph.D. degree in electronics from the University of Delhi, India in 2010. His Ph.D thesis was on the modeling, simulation and characterization of gate misalignment effect in DG MOSFETs. Dr. Sharma was a Postdoctoral Researcher with the Department of Electronics (DEIS) University of Bologna, Italy, where he was involved in numerical optimization and characterization of a dual N/P channel super-junction LDMOS for low dropout voltage regulator (LDO) applications. He has also served as a Marie-Curie experienced researcher for the Telecommunication Systems Institute; Technical University of Crete, Greece on a European Funding Research Program Compact Modeling Network ('COMON') on compact modeling of nanoscale multi-gate MOSFETs and of high-voltage MOSFETs. Currently, He is working on the project 'Silicon carbide based power devices and their applications for power savings' funded by European Social Fund in collaboration with Czech Science Foundation at the Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague. He has authored or coauthored over 32 papers in various international journals and conference proceedings. 156 pp. Englisch.

Codice articolo 9783639708028

Titolo
Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs
Autore
Rupendra Kumar Sharma
Editore
SPS Jul 2015
Anno di pubblicazione
2015
Condizione
Neu
Sovraccoperta
sovraccoperta
Rilegatura
Taschenbuch
Lingua
inglese
ISBN 10
3639708024
ISBN 13
9783639708028
Peso dell'articolo
250 grammi
Dimensioni
220x150x10 mm

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