Importo totale (1 articolo articoli):
Destinazione ordine:
arora narain (42 risultati)
Vai alla pagina principale dei risultati di ricerca
Filtri di ricerca
Tipo di articolo
- Tutti i tipi di prodotto
- Libri (42)
- Riviste e Giornali (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fumetti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Spartiti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Arte, Stampe e Poster (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fotografie (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Mappe (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Manoscritti e Collezionismo cartaceo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Condizioni Maggiori informazioni
- Nuovo (35)
- Come nuovo, Ottimo o Quasi ottimo (6)
- Molto buono o Buono (1)
- Discreto o Mediocre (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Come descritto (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Legatura
Ulteriori caratteristiche
- Prima ed. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Copia autograf. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Sovracoperta (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Con foto (25)
- Non Print on Demand (31)
Lingua (1)
Spedizione gratuita
Paese del venditore
Valutazione venditore
-
Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 73,47
Spedizione EUR 2,27
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
PAP. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 76,03
Spedizione gratuita
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 3 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: New. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.
-
Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 75,98
Spedizione EUR 2,27
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 75,92
Spedizione EUR 6,73
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 15 disponibili
Aggiungi al carrelloPAP. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice (Paperback)
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Paperback. Condizione: new. Paperback. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
-
Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 70,61
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION: THEORY AND PRACTICE (International Advances in Solid State Electronics and Technology)
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 77,55
Spedizione EUR 13,73
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
-
Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 75,88
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
Mosfet Modeling for Vlsi Simulation: Theory and Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 99,54
Spedizione EUR 14,33
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 632 pages. 9.02x6.22x1.30 inches. In Stock.
-
Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 632.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation: Theory and Practice (Computational Microelectronics)
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 113,52
Spedizione EUR 13,73
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 124,72
Spedizione EUR 7,45
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. 632 270 Figures, 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
-
Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 113,51
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation : Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 29,90
Spedizione EUR 105,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 3 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
-
Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 127,45
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: Rarewaves.com UK, London, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 70,63
Spedizione EUR 74,51
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 3 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: New. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice (Paperback)
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Da: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australia
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 133,64
Spedizione EUR 31,83
Spedito da Australia a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: new. Paperback. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation | Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 95,70
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation | Theory and Practice | Narain D. Arora | Taschenbuch | XXII | Englisch | 2012 | Springer | EAN 9783709192498 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation: Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 156,97
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 632 pages. 9.61x6.69x1.43 inches. In Stock.
-
MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation : Theory and Practice
Libro 7 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 106,99
Spedizione EUR 65,37
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the semiconductor industry. Over the past decade, the complexity of MOS IC's has increased at an astonishing rate. This is realized mainly through the reduction of MOS transistor dimensions in addition to the improvements in processing. Today VLSI circuits with over 3 million transistors on a chip, with effective or electrical channel lengths of 0. 5 microns, are in volume production. Designing such complex chips is virtually impossible without simulation tools which help to predict circuit behavior before actual circuits are fabricated. However, the utility of simulators as a tool for the design and analysis of circuits depends on the adequacy of the device models used in the simulator. This problem is further aggravated by the technology trend towards smaller and smaller device dimensions which increases the complexity of the models. There is extensive literature available on modeling these short channel devices. However, there is a lot of confusion too. Often it is not clear what model to use and which model parameter values are important and how to determine them. After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling. This book is an attempt in that direction.
-
Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 231,88
Spedizione EUR 2,27
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
HRD. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 243,87
Spedizione EUR 2,27
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 241,23
Spedizione EUR 7,75
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 15 disponibili
Aggiungi al carrelloHRD. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 241,21
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
Mosfet Modeling for VLSI Simulation: Theory And Practice (International Series on Advances in Solid State Electronics) (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology)
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 245,50
Spedizione EUR 13,73
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
-
Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 241,74
Spedizione EUR 17,20
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
