Athanasios dimoulas (46 risultati)
2d Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (EDT); Dimoulas, Athanasios (EDT); Molle, Alessandro (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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2d Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (EDT); Dimoulas, Athanasios (EDT); Molle, Alessandro (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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2d Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (EDT); Dimoulas, Athanasios (EDT); Molle, Alessandro (EDT)
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Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: Taylor & Francis Ltd, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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2d Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (EDT); Dimoulas, Athanasios (EDT); Molle, Alessandro (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: Springer, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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2d Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (Editor)/ Dimoulas, Athanasios (Editor)/ Molle, Alessandro (Editor)
Lingua: Inglese
Editore: CRC Pr I Llc, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: CRC Press, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Da: moluna, Greven, Germaniamoluna
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Editore: Taylor & Francis Ltd Mär 2021, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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Editore: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors | Athanasios Dimoulas (u. a.) | Taschenbuch | Springer Series in Advanced Microelectronics | xxii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642090714 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, jue…rgen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: Buchpark, Trebbin, GermaniaBuchpark
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Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 408 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike…. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility…semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Editore: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mo…bility semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Editore: Springer, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Dimoulas, Athanasios (Editor) / Gusev, Evgeni (Editor) / Heyns, Marc (Editor) / McIntyre, Paul C. (Editor)
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Editore: Springer Berlin Heidelberg, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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Editore: SPRINGER, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: UK BOOKS STORE, London, LONDO, Regno UnitoUK BOOKS STORE
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2D Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (EDT); Dimoulas, Athanasios (EDT); Molle, Alessandro (EDT)
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Editore: CRC Press, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Lingua: Inglese
Editore: Taylor & Francis Group, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Da: Majestic Books, Hounslow, Regno UnitoMajestic Books
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Editore: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Libro 13 di 72. Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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Lingua: Inglese
Editore: Taylor & Francis Group, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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2D Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (EDT); Dimoulas, Athanasios (EDT); Molle, Alessandro (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: CRC Press, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: CRC Press, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Da: moluna, Greven, Germaniamoluna
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Editore: Taylor & Francis Group, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Libro 7 di 21. Libro 7 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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