Bentarzi hamid (75 risultati)
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Hardback or Cased Book. Condizione: New. The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems. Book.
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Editore: Berlin ; Heidelberg : Springer 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Gr.-8°, gebundene Ausgabe. Condizione: Sehr gut. XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mechanism in Thin Oxides / of MOS Devices / Experimental Techniques / Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribu…tion Determination / Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide / Index. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 315.
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Hardback or Cased Book. Condizione: New. The 2nd International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems. Book.
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Lingua: Inglese
Editore: Springer 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Lingua: Inglese
Editore: Springer 2013
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Editore: Springer 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Lingua: Inglese
Editore: J.B. Metzler 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and diffe…rent types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
Lingua: Inglese
Editore: Springer 2013
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: Books Puddle, New York, U.S.A.Books Puddle
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Condizione: New. pp. xiv + 106.
Lingua: Inglese
Editore: Springer 2013
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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Paperback. Condizione: Brand New. 2011 edition. 117 pages. 9.25x6.10x0.28 inches. In Stock.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Verlag 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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Hardcover. Condizione: Brand New. 104 pages. 9.00x6.25x0.75 inches. In Stock.
Lingua: Inglese
Editore: Springer 2013
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures | Mobile Ions Effects on the Oxide Properties | Hamid Bentarzi | Taschenbuch | Engineering Materials | xiv | Englisch | 2013 | Springer | EAN 9783642266881 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg…, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: Mispah books, Redhill, Regno UnitoMispah books
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Hardcover. Condizione: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg 2013
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and diffe…rent types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg 2011
Serie: Engineering Materials, Libro 7 di 110. Libro 7 di 110 - Engineering Materials
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different ty…pes of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
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Da: GreatBookPrices, Columbia, U.S.A.GreatBookPrices
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