Borresch thorsten (11 risultati)

Condizione: New.

Condizione: New. In.

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Diploma Thesis from the year 1997 in the subject Electrotechnology, University of Applied Sciences Bremen (Unbekannt), language: English, abstract: Inhaltsangabe:Abstract:The report describes the building of a simple resonant converter with a series resonant circuit as load. This work is a subject in the field of power electronics.The report includes a complete describtion of the analytical fundamentals of a DC/AC converter with a resonant circuit as load.Modern semiconductor devices like IGBTs, MBGTs, MOSFETs, Thyristors, . are also tested for a succesfull using in converter circuits.The most important thing in this work is the minimizing of the switching losses in the semiconductor devices. For that purpose the switching point lays near the current and voltage zero. The special difficulties for the dimensioning of the components are commented.The practical building of the resonant converter is descripted with all details: dimensioning of the components-, circuit diagrams; breadboard arrangement; .The function of the constructed resonant converter is tested by measurements. In addition there is a comparison of the measurements and the caIculations made before.The report ends with a detailed bibliography.Zusammenfassung:Die Diplomarbeit befaßt sich mit einem Thema aus der elektrischen Leistungselektronik:Dem Aufbau eines simplen Schwingkreisumrichters mit Reihenschwingkreis.Neben einer ausführlichen analytischen Betrachtung der Grundlagen eines Wechselumrichters mit Reihenschwingkreises, werden auch moderne Halbleiterschalter wie IGBT, MBGT, MOSFET, Thyristoren, auf ihre Tauglichkeit für den gegebenen Verwendungszweck untersucht.Das Hauptaugenmerk wird bei dieser Arbeit auf die Minimierung der Schaltverluste in den Halbleiterbauelementen gelegt. Dazu ist der Schaltpunkt in die Nähe des Strom- und Spannungsnulldurchgangs gelegt. Die besonderen Schwierigkeiten, die sich daher für die Bauteileauswahl ergeben, sind kommentiert,Für den praktischen Aufbau eines Schwingkreisumrichters sind alle notwendigen Dimensionierungen für die Bauteile, Stromlaufpläne, Platinenaufbaupläne, in der Arbeit zu finden.Die Funktion des dimensionierten und aufgebauten Schwingkreisumrichters wird durch abschließende Messungen überprüft. Im Anschluß werden die Meßergebnisse mit den zuvor durchgeführten Berechnungen verglichen.Die Arbeit enthält darüberhinaus ein ausführliches Literaturverzeichnis.Inhaltsverzeichnis:Table of Contents:ABSTRACT 2CHAPTER 11.NOMENCLATURE 8CHAPTER 22.INTRODUCTION 102.1GENERAL 102.2APPLICATIONS FOR RESONANT INVERTERS 102.3ADVANTAGEs/DISADVANTAGES OF RESONANT INVERTER 102.4TASK 11CHAPTER 33.SEMICONDUCTORS 133.1THYRISTOR 133.1.1Introduction 133.1.2Method of operation 133.2SPECIAL FORMS OF THYRISTORS 153.2.1Gate turn-off thyristor (GTO) 153.2.2Amplifying gate thyristor 163.3POWER MOSFET 173.4IGBT 193.4.1Introduction 193.4.2Method of operation 193.4.3IGBT in modular construction 213.4.4Applications 213.5BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT) 213.6SILICON CONTROLLED TRANSISTOR (SIT) 233.7SILICON CONTROLLED THYRISTOR (SITH) 243.8MOS CONTROLLED THYRISTOR (MCT) 243.9MOS AND BIPOLAR GATED THYRISTOR (MBGT) 253.10COMPARISON OF MODERN SEMICONDUCTOR DEVICES 27CHAPTER 44.DESCRIPTION OF THE SINGLE PHASE FULL-BRIDGE INVERTER 294.1VOLTAGE SOURCE INVERTERS 294.1.1Principle of operation 294.2DESCRIPTION OF THE RESONANT CIRCUIT 304.3THE SERIES RESONANT INVERTER 334.3.1System Description334.3.2Modes of operation 344.3.2.1DCM - Discontinuous mode 344.3.2.2CCM - Continuous current mode 374.4DAMPING 394.4.1High. 128 pp. Englisch.…

Condizione: New. Print on Demand pp. 128 424:B&W 5.83 x 8.27 in or 210 x 148 mm (A5) Perfect Bound on Creme w/Matte Lam.

Condizione: New. Print on Demand pp. 128.

Condizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 128.

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Diploma Thesis from the year 1997 in the subject Electrotechnology, University of Applied Sciences Bremen (Unbekannt), language: English, abstract: Inhaltsangabe:Abstract:The report describes the building of a simple resonant converter with a series r.…

PAP. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.

PAP. Condizione: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Inhaltsangabe:Abstract:The report describes the building of a simple resonant converter with a series resonant circuit as load. This work is a subject in the field of power electronics.The report includes a complete describtion of the analytical fundamentals of a DC/AC converter with a resonant circuit as load.Modern semiconductor devices like IGBTs, MBGTs, MOSFETs, Thyristors, . are also tested for a succesfull using in converter circuits.The most important thing in this work is the minimizing of the switching losses in the semiconductor devices. For that purpose the switching point lays near the current and voltage zero. The special difficulties for the dimensioning of the components are commented.The practical building of the resonant converter is descripted with all details: dimensioning of the components-, circuit diagrams; breadboard arrangement; .The function of the constructed resonant converter is tested by measurements. In addition there is a comparison of the measurements and the caIculations made before.The report ends with a detailed bibliography.Zusammenfassung:Die Diplomarbeit befaßt sich mit einem Thema aus der elektrischen Leistungselektronik:Dem Aufbau eines simplen Schwingkreisumrichters mit Reihenschwingkreis.Neben einer ausführlichen analytischen Betrachtung der Grundlagen eines Wechselumrichters mit Reihenschwingkreises, werden auch moderne Halbleiterschalter wie IGBT, MBGT, MOSFET, Thyristoren, auf ihre Tauglichkeit für den gegebenen Verwendungszweck untersucht.Das Hauptaugenmerk wird bei dieser Arbeit auf die Minimierung der Schaltverluste in den Halbleiterbauelementen gelegt. Dazu ist der Schaltpunkt in die Nähe des Strom- und Spannungsnulldurchgangs gelegt. Die besonderen Schwierigkeiten, die sich daher für die Bauteileauswahl ergeben, sind kommentiertFür den praktischen Aufbau eines Schwingkreisumrichters sind alle notwendigen Dimensionierungen für die Bauteile, Stromlaufpläne, Platinenaufbaupläne, in der Arbeit zu finden.Die Funktion des dimensionierten und aufgebauten Schwingkreisumrichters wird durch abschließende Messungen überprüft. Im Anschluß werden die Meßergebnisse mit den zuvor durchgeführten Berechnungen verglichen.Die Arbeit enthält darüberhinaus ein ausführliches Literaturverzeichnis.Inhaltsverzeichnis:Table of Contents:ABSTRACT 2CHAPTER 11.NOMENCLATURE 8CHAPTER 22.INTRODUCTION 102.1GENERAL 102.2APPLICATIONS FOR RESONANT INVERTERS [¿]Diplomica Verlag, Hermannstal 119k, 22119 Hamburg 128 pp. Englisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Diploma Thesis from the year 1997 in the subject Electrotechnology, University of Applied Sciences Bremen (Unbekannt), language: English, abstract: Inhaltsangabe:Abstract:The report describes the building of a simple resonant converter with a series resonant circuit as load. This work is a subject in the field of power electronics.The report includes a complete describtion of the analytical fundamentals of a DC/AC converter with a resonant circuit as load.Modern semiconductor devices like IGBTs, MBGTs, MOSFETs, Thyristors, . are also tested for a succesfull using in converter circuits.The most important thing in this work is the minimizing of the switching losses in the semiconductor devices. For that purpose the switching point lays near the current and voltage zero. The special difficulties for the dimensioning of the components are commented.The practical building of the resonant converter is descripted with all details: dimensioning of the components-, circuit diagrams; breadboard arrangement; .The function of the constructed resonant converter is tested by measurements. In addition there is a comparison of the measurements and the caIculations made before.The report ends with a detailed bibliography.Zusammenfassung:Die Diplomarbeit befaßt sich mit einem Thema aus der elektrischen Leistungselektronik:Dem Aufbau eines simplen Schwingkreisumrichters mit Reihenschwingkreis.Neben einer ausführlichen analytischen Betrachtung der Grundlagen eines Wechselumrichters mit Reihenschwingkreises, werden auch moderne Halbleiterschalter wie IGBT, MBGT, MOSFET, Thyristoren, auf ihre Tauglichkeit für den gegebenen Verwendungszweck untersucht.Das Hauptaugenmerk wird bei dieser Arbeit auf die Minimierung der Schaltverluste in den Halbleiterbauelementen gelegt. Dazu ist der Schaltpunkt in die Nähe des Strom- und Spannungsnulldurchgangs gelegt. Die besonderen Schwierigkeiten, die sich daher für die Bauteileauswahl ergeben, sind kommentiert,Für den praktischen Aufbau eines Schwingkreisumrichters sind alle notwendigen Dimensionierungen für die Bauteile, Stromlaufpläne, Platinenaufbaupläne, in der Arbeit zu finden.Die Funktion des dimensionierten und aufgebauten Schwingkreisumrichters wird durch abschließende Messungen überprüft. Im Anschluß werden die Meßergebnisse mit den zuvor durchgeführten Berechnungen verglichen.Die Arbeit enthält darüberhinaus ein ausführliches Literaturverzeichnis.Inhaltsverzeichnis:Table of Contents:ABSTRACT 2CHAPTER 11.NOMENCLATURE 8CHAPTER 22.INTRODUCTION 102.1GENERAL 102.2APPLICATIONS FOR RESONANT INVERTERS 102.3ADVANTAGEs/DISADVANTAGES OF RESONANT INVERTER 102.4TASK 11CHAPTER 33.SEMICONDUCTORS 133.1THYRISTOR 133.1.1Introduction 133.1.2Method of operation 133.2SPECIAL FORMS OF THYRISTORS 153.2.1Gate turn-off thyristor (GTO) 153.2.2Amplifying gate thyristor 163.3POWER MOSFET 173.4IGBT 193.4.1Introduction 193.4.2Method of operation 193.4.3IGBT in modular construction 213.4.4Applications 213.5BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT) 213.6SILICON CONTROLLED TRANSISTOR (SIT) 233.7SILICON CONTROLLED THYRISTOR (SITH) 243.8MOS CONTROLLED THYRISTOR (MCT) 243.9MOS AND BIPOLAR GATED THYRISTOR (MBGT) 253.10COMPARISON OF MODERN SEMICONDUCTOR DEVICES 27CHAPTER 44.DESCRIPTION OF THE SINGLE PHASE FULL-BRIDGE INVERTER 294.1VOLTAGE SOURCE INVERTERS 294.1.1Principle of operation 294.2DESCRIPTION OF THE RESONANT CIRCUIT 304.3THE SERIES RESONANT INVERTER 334.3.1System Description334.3.2Modes of operation 344.3.2.1DCM - Discontinuous mode 344.3.2.2CCM - Continuous current mode 374.4DAMPING 394.4.1High.…