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Cobalt Doping of Semiconducting Boron Carbide Using Cobaltocene
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 18,74
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Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Cobalt Doping of Semiconducting Boron Carbide Using Cobaltocene (Paperback or Softback)
Da: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Paperback or Softback. Condizione: New. Cobalt Doping of Semiconducting Boron Carbide Using Cobaltocene. Book.
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Point of Entry
Lingua: Inglese
Editore: Three Rivers Arts Festival, 1997
ISBN 10: 0965852903 ISBN 13: 9780965852906
Hard cover. Condizione: Very good. No jacket. Spine is cracked but secure. Cover edges are lightly worn. Inside is clean and unmarked.
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Cobalt Doping of Semiconducting Boron Carbide Using Cobaltocene
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 16,04
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Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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EUR 19,59
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. KlappentextrnrnThe decomposition of cobaltocene and metacarborane (closo-1,7-dicarbadecaborane) under low energy electron irradiation at about 200 K results in a material with the Fermi level closer to the valence band than the material resultin.
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Cobalt Doping of Semiconducting Boron Carbide Using Cobaltocene
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 19,26
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EUR 22,84
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Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - The decomposition of cobaltocene and metacarborane (closo-1,7-dicarbadecaborane) under low energy electron irradiation at about 200 K results in a material with the Fermi level closer to the valence band than the material resulting from the decomposition of metacarborane alone. This indicates that cobaltocene provides a relatively p-type dopant as seen in ultraviolet photoemission spectroscopy/inverse photoemission spectroscopy. Upon warming to room temperature, however, the Fermi level shifts towards the conduction band, suggesting an n-type dopant. This temperature dependent surface photovoltage effect is not compelling evidence for the majority carrier type but does suggest an increase in the carrier concentration in semiconducting boron carbides with cobaltocene fragment doping. Using cobaltocene to introduce dopants into a orthocarborane (closo-1,2- dicarbadecaborane) derived film, deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition, a semiconducting boron carbide homojunction diode has been fabricated. This diode has potential applications in neutron detection, direct neutron power conversion, and as a dilute magnetic semiconductor.
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Cobalt Doping of Semiconducting Boron Carbide Using Cobaltocene
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 17,41
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