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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices
Lingua: Inglese
Editore: LAP Lambert Academic Publishing, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices | From Fundamentals to Applications
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
EUR 58,65
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices | From Fundamentals to Applications | Sulagna Chatterjee | Taschenbuch | Englisch | 2026 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786209522390 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Feb 2026, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 68,90
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware 136 pp. Englisch.
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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices : From Fundamentals to Applications
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
EUR 69,73
Spedizione EUR 61,11
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering.
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Nanoscale Strain-engineering in Solid State Semiconductor Devices
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Feb 2026, 2026
ISBN 10: 6209522394 ISBN 13: 9786209522390
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 68,90
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Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -An analytical model has been developed that estimates induced stress in horizontally embedded nanowires. Stress has been considered to be induced due to mismatch of both lattice and thermo-elastic constants. The contribution of both process- and substrate-induced stress has been accounted for. Various materials have been chosen as substrate for different nanowire materials, depending on their crystal structures. The magnitude and nature of induced stress has been engineered by varying the fractional insertion of the nanowire into the substrate. Nanowires being extremely petite structures always need to be mounted on some substrate. Hence, a commercial substrate has been proposed, such that mobility enhancement through stress-engineering might be accomplished by varying the fractional insertion. Step-by-step stress-engineering for partially embedded nanowire FETs has been performed. The choice of high-k gate dielectric has been shown to play an important role. Similar stress-engineering has been performed for UTB MOSFETs and FinFETs. Both such FETs have been proposed to be fabricated on ingenious, commercial IOS substrates, capable of inducing stress of desired nature and magnitude.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 136 pp. Englisch.
