Importo totale (1 articolo articoli):
Destinazione ordine:
doumi bendouma (6 risultati)
Vai alla pagina principale dei risultati di ricerca
Filtri di ricerca
Tipo di articolo
- Tutti i tipi di prodotto
- Libri (6)
- Riviste e Giornali (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fumetti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Spartiti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Arte, Stampe e Poster (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fotografie (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Mappe (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Manoscritti e Collezionismo cartaceo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Condizioni Maggiori informazioni
- Nuovo (6)
- Come nuovo, Ottimo o Quasi ottimo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Molto buono o Buono (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Discreto o Mediocre (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Come descritto (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Legatura
- Tutte
- Rilegato (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Brossura (6)
Ulteriori caratteristiche
- Prima ed. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Copia autograf. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Sovracoperta (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Con foto (1)
- Non Print on Demand (3)
Lingua (1)
Prezzo
- Qualsiasi prezzo
- Inferiore a EUR 20 (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- EUR 20 a EUR 45 (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Superiore a EUR 45
Spedizione gratuita
- Spedizione gratuita in U.S.A. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Paese del venditore
Valutazione venditore
-
Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 3659511188 ISBN 13: 9783659511189
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New.
-
Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 3659511188 ISBN 13: 9783659511189
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 109,58
Spedizione EUR 11,76
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 156 pages. 8.66x5.91x0.36 inches. In Stock.
-
Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 3659511188 ISBN 13: 9783659511189
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 188,94
Spedizione EUR 29,40
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrellopaperback. Condizione: New. NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
-
Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 3659511188 ISBN 13: 9783659511189
EUR 50,66
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Dahmane FethallahDr Fethallah DAHMANE is a Professor of Physics in university of Tissemsilt. He Received PhD from Sidi Bel Abbes University in 2014. His main scientific work is focused on the structural, electronic and, magnetic prop.
-
Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 3659511188 ISBN 13: 9783659511189
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 103,42
Spedizione EUR 7,64
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand.
-
Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2018
ISBN 10: 3659511188 ISBN 13: 9783659511189
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 104,54
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND.
