Dr swati arora (23 risultati)

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Paperback. Condizione: new. Paperback. In the work, Metal and Metalloid fabricated on the glass substrate as thin film samples and electrical behavior has found similar to thin film Field Effect Transistor. Metal (Al/Cu) contact and metalloid (Se) channel have been used as a Field Effect Transistor on the glass substrate by depositing the source, drain and top-gate metal contacts. The flow of carriers from the source to drain can be controlled with Schottky metal gate. The channel current has been controlled by depletion layer of variable width through metal contact and thickness of the conducting channel has been modulated. The source and drain of the FET structure were defined by the metal layers of Al, or Cu were sequentially deposited on the Se in the defined contact patterns by thermal evaporation by employing vacuum coating unit. The their electrical properties were determined. The device is used to control the current between drain and source at the different potential between gate and source (VGS), inducing free charge accumulation at metal-semiconductor junction. Thin Films of aluminum selenide has been annealed at 500C, 1000C further confirmed by X-Ray Diffraction and optical spectroscopy. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. Dans ce travail, le metal et le metalloide ont ete fabriques sur un substrat de verre sous forme d'echantillons en couches minces, et leur comportement electrique s'est avere similaire a celui d'un transistor a effet de champ a couches minces. Des contacts metalliques (Al/Cu) et un canal metalloide (Se) ont ete utilises comme transistor a effet de champ sur le substrat de verre en deposant les contacts metalliques de source, de drain et de grille superieure. Le flux de porteurs de la source vers le drain peut etre controle par une grille metallique Schottky. Le courant du canal a ete controle par une couche de depletion de largeur variable via le contact metallique, modulant ainsi l'epaisseur du canal conducteur. La source et le drain de la structure FET ont ete definis par des couches metalliques d'Al ou de Cu deposees sequentiellement sur le Se selon des motifs de contact definis par evaporation thermique a l'aide d'une unite de revetement sous vide. Leurs proprietes electriques ont ete determinees. Le dispositif est utilise pour controler le courant entre le drain et la source a differents potentiels entre la grille et la source ($V_{GS}$), induisant une accumulation de charges libres a la jonction metal-semi-conducteur. Les couches minces de seleniure d'aluminium ont ete recuites a 500C et 1000C, confirmees ensuite par diffraction des rayons X et spectroscopie optique. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. In the work, Metal and Metalloid fabricated on the glass substrate as thin film samples and electrical behavior has found similar to thin film Field Effect Transistor. Metal (Al/Cu) contact and metalloid (Se) channel have been used as a Field Effect Transistor on the glass substrate by depositing the source, drain and top-gate metal contacts. The flow of carriers from the source to drain can be controlled with Schottky metal gate. The channel current has been controlled by depletion layer of variable width through metal contact and thickness of the conducting channel has been modulated. The source and drain of the FET structure were defined by the metal layers of Al, or Cu were sequentially deposited on the Se in the defined contact patterns by thermal evaporation by employing vacuum coating unit. The their electrical properties were determined. The device is used to control the current between drain and source at the different potential between gate and source (VGS), inducing free charge accumulation at metal-semiconductor junction. Thin Films of aluminum selenide has been annealed at 500C, 1000C further confirmed by X-Ray Diffraction and optical spectroscopy. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. Neste trabalho, metal e metaloide foram fabricados sobre um substrato de vidro como amostras de filme fino e o seu comportamento eletrico revelou-se semelhante ao de um transistor de efeito de campo de filme fino. Contactos metalicos (Al/Cu) e um canal de metaloide (Se) foram utilizados como um transistor de efeito de campo no substrato de vidro atraves da deposicao de contactos metalicos de fonte, dreno e porta superior. O fluxo de portadores da fonte para o dreno pode ser controlado com uma porta metalica Schottky. A corrente do canal foi controlada por uma camada de deplecao de largura variavel atraves do contacto metalico e a espessura do canal condutor foi modulada. A fonte e o dreno da estrutura FET foram definidos pelas camadas metalicas de Al ou Cu, depositadas sequencialmente sobre o Se nos padroes de contacto definidos por evaporacao termica, utilizando uma unidade de revestimento em vacuo. Foram determinadas as suas propriedades eletricas. O dispositivo e utilizado para controlar a corrente entre o dreno e a fonte a diferentes potenciais entre a porta e a fonte ($V_{GS}$), induzindo a acumulacao de carga livre na juncao metal-semicondutor. Filmes finos de selenieto de aluminio foram recozidos a 500C e 1000C, confirmado posteriormente por Difracao de Raios X e espetroscopia otica. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. In dieser Arbeit wurden Metall und Metalloid auf einem Glassubstrat als Duennschichtproben hergestellt, wobei ein elektrisches Verhalten festgestellt wurde, das dem eines Duennschicht-Feldeffekttransistors aehnelt. Metallkontakte (Al/Cu) und ein Metalloid-Kanal (Se) wurden als Feldeffekttransistor auf dem Glassubstrat verwendet, indem Source-, Drain- und Top-Gate-Metallkontakte aufgebracht wurden. Der Traegerfluss von der Source zum Drain kann mit einem Schottky-Metall-Gate gesteuert werden. Der Kanalstrom wurde durch eine Verarmungsschicht variabler Breite ueber den Metallkontakt gesteuert, wodurch die Dicke des leitenden Kanals moduliert wurde. Source und Drain der FET-Struktur wurden durch Metallschichten aus Al oder Cu definiert, die nacheinander auf das Se in den definierten Kontaktmustern durch thermisches Verdampfen unter Verwendung einer Vakuum-Beschichtungsanlage aufgebracht wurden. Ihre elektrischen Eigenschaften wurden bestimmt. Das Geraet wird verwendet, um den Strom zwischen Drain und Source bei unterschiedlichem Potenzial zwischen Gate und Source ($V_{GS}$) zu steuern, wodurch eine freie Ladungsakkumulation am Metall-Halbleiter-UEbergang induziert wird. Duennschichten aus Aluminiumselenid wurden bei 500C und 1000C getempert und anschliessend durch Roentgenbeugung und optische Spektroskopie bestaetigt. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. W niniejszej pracy metal i metaloid zostaly wytworzone na szklanym podlozu jako probki cienkowarstwowe, a ich zachowanie elektryczne okazalo sie podobne do cienkowarstwowego tranzystora polowego. Styki metalowe (Al/Cu) i kanal metaloidowy (Se) zostaly wykorzystane jako tranzystor polowy na szklanym podlozu poprzez osadzenie metalowych stykow zrodla, drenu i bramki gornej. Przeplyw nosnikow ze zrodla do drenu moze byc kontrolowany za pomoca metalowej bramki Schottky'ego. Prad kanalu byl kontrolowany przez warstwe zubozona o zmiennej szerokosci poprzez styk metalowy, co modulowalo grubosc kanalu przewodzacego. Zrodlo i dren struktury FET zostaly zdefiniowane przez warstwy metalu Al lub Cu, ktore byly kolejno osadzane na Se w okreslonych wzorach stykow metoda odparowania termicznego przy uzyciu jednostki powlekania prozniowego. Okreslono ich wlasciwosci elektryczne. Urzadzenie sluzy do sterowania pradem miedzy drenem a zrodlem przy roznym potencjale miedzy bramka a zrodlem ($V_{GS}$), wywolujac akumulacje ladunku swobodnego na zlaczu metal-polprzewodnik. Cienkie warstwy selenku glinu zostaly wyzarzone w temperaturach 500C i 1000C, co potwierdzono dyfrakcja rentgenowska i spektroskopia optyczna. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. In questo lavoro, metallo e metalloide sono stati fabbricati su un substrato di vetro come campioni a film sottile e il loro comportamento elettrico e risultato simile a quello di un transistore a effetto di campo a film sottile. Contatti metallici (Al/Cu) e un canale metalloide (Se) sono stati utilizzati come transistore a effetto di campo sul substrato di vetro depositando i contatti metallici di source, drain e top-gate. Il flusso di portatori dalla source al drain puo essere controllato con un gate metallico Schottky. La corrente del canale e stata controllata da uno strato di svuotamento di larghezza variabile attraverso il contatto metallico, modulando lo spessore del canale conduttore. Source e drain della struttura FET sono stati definiti dagli strati metallici di Al o Cu depositati sequenzialmente sul Se nei pattern di contatto definiti mediante evaporazione termica utilizzando un'unita di rivestimento sottovuoto. Sono state determinate le loro proprieta elettriche. Il dispositivo viene utilizzato per controllare la corrente tra drain e source ai diversi potenziali tra gate e source ($V_{GS}$), inducendo l'accumulo di carica libera alla giunzione metallo-semiconduttore. I film sottili di seleniuro di alluminio sono stati ricotti a 500C e 1000C, come confermato successivamente dalla diffrazione di raggi X e dalla spettroscopia ottica. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. Dans ce travail, le metal et le metalloide ont ete fabriques sur un substrat de verre sous forme d'echantillons en couches minces, et leur comportement electrique s'est avere similaire a celui d'un transistor a effet de champ a couches minces. Des contacts metalliques (Al/Cu) et un canal metalloide (Se) ont ete utilises comme transistor a effet de champ sur le substrat de verre en deposant les contacts metalliques de source, de drain et de grille superieure. Le flux de porteurs de la source vers le drain peut etre controle par une grille metallique Schottky. Le courant du canal a ete controle par une couche de depletion de largeur variable via le contact metallique, modulant ainsi l'epaisseur du canal conducteur. La source et le drain de la structure FET ont ete definis par des couches metalliques d'Al ou de Cu deposees sequentiellement sur le Se selon des motifs de contact definis par evaporation thermique a l'aide d'une unite de revetement sous vide. Leurs proprietes electriques ont ete determinees. Le dispositif est utilise pour controler le courant entre le drain et la source a differents potentiels entre la grille et la source ($V_{GS}$), induisant une accumulation de charges libres a la jonction metal-semi-conducteur. Les couches minces de seleniure d'aluminium ont ete recuites a 500C et 1000C, confirmees ensuite par diffraction des rayons X et spectroscopie optique. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. In questo lavoro, metallo e metalloide sono stati fabbricati su un substrato di vetro come campioni a film sottile e il loro comportamento elettrico e risultato simile a quello di un transistore a effetto di campo a film sottile. Contatti metallici (Al/Cu) e un canale metalloide (Se) sono stati utilizzati come transistore a effetto di campo sul substrato di vetro depositando i contatti metallici di source, drain e top-gate. Il flusso di portatori dalla source al drain puo essere controllato con un gate metallico Schottky. La corrente del canale e stata controllata da uno strato di svuotamento di larghezza variabile attraverso il contatto metallico, modulando lo spessore del canale conduttore. Source e drain della struttura FET sono stati definiti dagli strati metallici di Al o Cu depositati sequenzialmente sul Se nei pattern di contatto definiti mediante evaporazione termica utilizzando un'unita di rivestimento sottovuoto. Sono state determinate le loro proprieta elettriche. Il dispositivo viene utilizzato per controllare la corrente tra drain e source ai diversi potenziali tra gate e source ($V_{GS}$), inducendo l'accumulo di carica libera alla giunzione metallo-semiconduttore. I film sottili di seleniuro di alluminio sono stati ricotti a 500C e 1000C, come confermato successivamente dalla diffrazione di raggi X e dalla spettroscopia ottica. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. W niniejszej pracy metal i metaloid zostaly wytworzone na szklanym podlozu jako probki cienkowarstwowe, a ich zachowanie elektryczne okazalo sie podobne do cienkowarstwowego tranzystora polowego. Styki metalowe (Al/Cu) i kanal metaloidowy (Se) zostaly wykorzystane jako tranzystor polowy na szklanym podlozu poprzez osadzenie metalowych stykow zrodla, drenu i bramki gornej. Przeplyw nosnikow ze zrodla do drenu moze byc kontrolowany za pomoca metalowej bramki Schottky'ego. Prad kanalu byl kontrolowany przez warstwe zubozona o zmiennej szerokosci poprzez styk metalowy, co modulowalo grubosc kanalu przewodzacego. Zrodlo i dren struktury FET zostaly zdefiniowane przez warstwy metalu Al lub Cu, ktore byly kolejno osadzane na Se w okreslonych wzorach stykow metoda odparowania termicznego przy uzyciu jednostki powlekania prozniowego. Okreslono ich wlasciwosci elektryczne. Urzadzenie sluzy do sterowania pradem miedzy drenem a zrodlem przy roznym potencjale miedzy bramka a zrodlem ($V_{GS}$), wywolujac akumulacje ladunku swobodnego na zlaczu metal-polprzewodnik. Cienkie warstwy selenku glinu zostaly wyzarzone w temperaturach 500C i 1000C, co potwierdzono dyfrakcja rentgenowska i spektroskopia optyczna. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. Neste trabalho, metal e metaloide foram fabricados sobre um substrato de vidro como amostras de filme fino e o seu comportamento eletrico revelou-se semelhante ao de um transistor de efeito de campo de filme fino. Contactos metalicos (Al/Cu) e um canal de metaloide (Se) foram utilizados como um transistor de efeito de campo no substrato de vidro atraves da deposicao de contactos metalicos de fonte, dreno e porta superior. O fluxo de portadores da fonte para o dreno pode ser controlado com uma porta metalica Schottky. A corrente do canal foi controlada por uma camada de deplecao de largura variavel atraves do contacto metalico e a espessura do canal condutor foi modulada. A fonte e o dreno da estrutura FET foram definidos pelas camadas metalicas de Al ou Cu, depositadas sequencialmente sobre o Se nos padroes de contacto definidos por evaporacao termica, utilizando uma unidade de revestimento em vacuo. Foram determinadas as suas propriedades eletricas. O dispositivo e utilizado para controlar a corrente entre o dreno e a fonte a diferentes potenciais entre a porta e a fonte ($V_{GS}$), induzindo a acumulacao de carga livre na juncao metal-semicondutor. Filmes finos de selenieto de aluminio foram recozidos a 500C e 1000C, confirmado posteriormente por Difracao de Raios X e espetroscopia otica. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…

Paperback. Condizione: new. Paperback. In dieser Arbeit wurden Metall und Metalloid auf einem Glassubstrat als Duennschichtproben hergestellt, wobei ein elektrisches Verhalten festgestellt wurde, das dem eines Duennschicht-Feldeffekttransistors aehnelt. Metallkontakte (Al/Cu) und ein Metalloid-Kanal (Se) wurden als Feldeffekttransistor auf dem Glassubstrat verwendet, indem Source-, Drain- und Top-Gate-Metallkontakte aufgebracht wurden. Der Traegerfluss von der Source zum Drain kann mit einem Schottky-Metall-Gate gesteuert werden. Der Kanalstrom wurde durch eine Verarmungsschicht variabler Breite ueber den Metallkontakt gesteuert, wodurch die Dicke des leitenden Kanals moduliert wurde. Source und Drain der FET-Struktur wurden durch Metallschichten aus Al oder Cu definiert, die nacheinander auf das Se in den definierten Kontaktmustern durch thermisches Verdampfen unter Verwendung einer Vakuum-Beschichtungsanlage aufgebracht wurden. Ihre elektrischen Eigenschaften wurden bestimmt. Das Geraet wird verwendet, um den Strom zwischen Drain und Source bei unterschiedlichem Potenzial zwischen Gate und Source ($V_{GS}$) zu steuern, wodurch eine freie Ladungsakkumulation am Metall-Halbleiter-UEbergang induziert wird. Duennschichten aus Aluminiumselenid wurden bei 500C und 1000C getempert und anschliessend durch Roentgenbeugung und optische Spektroskopie bestaetigt. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.…