Farhan mansour (28 risultati)

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Taschenbuch. Condizione: Neu. The Development in Gallium-Nitrides Semiconductors Based Technology | Mansour Farhan (u. a.) | Taschenbuch | 104 S. | Englisch | 2018 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786139851669 | Verantwortliche Person für die EU: LAP Lambert Academic Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…

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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -III-nitrides semiconductors, specifically the GaN-based materials, including the binary GaN and related alloys with InN and AlN, such as the ternary AlGaN and InGaN as well as the quaternary InAlGaN have been intensively investigated in recent years because of the potential applications for optoelectronic devices operating in short wavelength spectral range and in high power and high temperature electronic devices. GaN-based materials are also ideal for the fabrication of high responsive and visible blind UV detectors because of the unique properties that encompass wide and direct band gap, high absorption coefficients, and sharp cutoff of the wavelength detection. The high breakdown voltage and high saturation velocity also enable the use of GaN-based materials for high-speed device operation and high power applications, such as power amplifiers for wireless base stations, low noise amplifiers, and high power switches. Sensing devices are another important application of the GaN-based materials, especially in harsh environments owing to the high thermal and chemical stability of these materials. 104 pp. Englisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Los semiconductores de III-nitruros, en concreto los materiales basados en GaN, incluido el GaN binario y las aleaciones relacionadas con InN y AlN, como el AlGaN ternario y el InGaN, así como el InAlGaN cuaternario, se han investigado intensamente en los últimos años debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que funcionan en el rango espectral de longitudes de onda cortas y en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura. Los materiales basados en GaN también son ideales para la fabricación de detectores UV ciegos visibles y de alta respuesta debido a las propiedades únicas que engloban la brecha de banda ancha y directa, los altos coeficientes de absorción y el corte agudo de la detección de longitud de onda. El alto voltaje de ruptura y la alta velocidad de saturación también permiten el uso de materiales basados en GaN para el funcionamiento de dispositivos de alta velocidad y aplicaciones de alta potencia, como amplificadores de potencia para estaciones base inalámbricas, amplificadores de bajo ruido e interruptores de alta potencia. Los dispositivos sensores son otra aplicación importante de los materiales basados en GaN, especialmente en entornos adversos debido a la gran estabilidad térmica y química de estos materiales. 100 pp. Spanisch.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Farhan MansourDr. Mansour S. Farhan, a Professor at College of Engineering/Wasit University. He has an experience in thin film fabrication technology of Optoelectronic devices - Dr. Hasan F. Khazaal, an Assistant Professor at College.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Kasim Gasim MohammedProf. Dr. Mansour S. Farhan College of Engineering, Wasit University. Date of birth: 1st July 1955. Designation: Professor and Head Department of Electrical Engineering. Other Skills: English language writing .…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Les semi-conducteurs à base de nitrures III, notamment les matériaux à base de GaN, y compris le GaN binaire et les alliages connexes avec l'InN et l'AlN, tels que l'AlGaN et l'InGaN ternaires ainsi que l'InAlGaN quaternaire, ont fait l'objet de recherches intensives ces dernières années en raison de leurs applications potentielles dans les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme spectrale des courtes longueurs d'onde et dans les dispositifs électroniques à haute puissance et à haute température. Les matériaux à base de GaN sont également idéaux pour la fabrication de détecteurs UV très réactifs et aveugles dans le visible en raison de leurs propriétés uniques qui englobent une bande interdite large et directe, des coefficients d'absorption élevés et une coupure nette de la longueur d'onde de détection. La tension de claquage élevée et la vitesse de saturation élevée permettent également l'utilisation de matériaux à base de GaN pour le fonctionnement de dispositifs à grande vitesse et les applications à haute puissance, comme les amplificateurs de puissance pour les stations de base sans fil, les amplificateurs à faible bruit et les commutateurs à haute puissance. Les dispositifs de détection constituent une autre application importante des matériaux à base de GaN, notamment dans les environnements difficiles, en raison de la grande stabilité thermique et chimique de ces matériaux. 100 pp. Französisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Los semiconductores de III-nitruros, en concreto los materiales basados en GaN, incluido el GaN binario y las aleaciones relacionadas con InN y AlN, como el AlGaN ternario y el InGaN, así como el InAlGaN cuaternario, se han investigado intensamente en los últimos años debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que funcionan en el rango espectral de longitudes de onda cortas y en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura. Los materiales basados en GaN también son ideales para la fabricación de detectores UV ciegos visibles y de alta respuesta debido a las propiedades únicas que engloban la brecha de banda ancha y directa, los altos coeficientes de absorción y el corte agudo de la detección de longitud de onda. El alto voltaje de ruptura y la alta velocidad de saturación también permiten el uso de materiales basados en GaN para el funcionamiento de dispositivos de alta velocidad y aplicaciones de alta potencia, como amplificadores de potencia para estaciones base inalámbricas, amplificadores de bajo ruido e interruptores de alta potencia. Los dispositivos sensores son otra aplicación importante de los materiales basados en GaN, especialmente en entornos adversos debido a la gran estabilidad térmica y química de estos materiales.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -III-nitrides semiconductors, specifically the GaN-based materials, including the binary GaN and related alloys with InN and AlN, such as the ternary AlGaN and InGaN as well as the quaternary InAlGaN have been intensively investigated in recent years because of the potential applications for optoelectronic devices operating in short wavelength spectral range and in high power and high temperature electronic devices. GaN-based materials are also ideal for the fabrication of high responsive and visible blind UV detectors because of the unique properties that encompass wide and direct band gap, high absorption coefficients, and sharp cutoff of the wavelength detection. The high breakdown voltage and high saturation velocity also enable the use of GaN-based materials for high-speed device operation and high power applications, such as power amplifiers for wireless base stations, low noise amplifiers, and high power switches. Sensing devices are another important application of the GaN-based materials, especially in harsh environments owing to the high thermal and chemical stability of these materials.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 104 pp. Englisch.…

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Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Les semi-conducteurs à base de nitrures III, notamment les matériaux à base de GaN, y compris le GaN binaire et les alliages connexes avec l'InN et l'AlN, tels que l'AlGaN et l'InGaN ternaires ainsi que l'InAlGaN quaternaire, ont fait l'objet de recherches intensives ces dernières années en raison de leurs applications potentielles dans les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme spectrale des courtes longueurs d'onde et dans les dispositifs électroniques à haute puissance et à haute température. Les matériaux à base de GaN sont également idéaux pour la fabrication de détecteurs UV très réactifs et aveugles dans le visible en raison de leurs propriétés uniques qui englobent une bande interdite large et directe, des coefficients d'absorption élevés et une coupure nette de la longueur d'onde de détection. La tension de claquage élevée et la vitesse de saturation élevée permettent également l'utilisation de matériaux à base de GaN pour le fonctionnement de dispositifs à grande vitesse et les applications à haute puissance, comme les amplificateurs de puissance pour les stations de base sans fil, les amplificateurs à faible bruit et les commutateurs à haute puissance. Les dispositifs de détection constituent une autre application importante des matériaux à base de GaN, notamment dans les environnements difficiles, en raison de la grande stabilité thermique et chimique de ces matériaux.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Los semiconductores de III-nitruros, en concreto los materiales basados en GaN, incluido el GaN binario y las aleaciones relacionadas con InN y AlN, como el AlGaN ternario y el InGaN, así como el InAlGaN cuaternario, se han investigado intensamente en los últimos años debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que funcionan en el rango espectral de longitudes de onda cortas y en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura. Los materiales basados en GaN también son ideales para la fabricación de detectores UV ciegos visibles y de alta respuesta debido a las propiedades únicas que engloban la brecha de banda ancha y directa, los altos coeficientes de absorción y el corte agudo de la detección de longitud de onda. El alto voltaje de ruptura y la alta velocidad de saturación también permiten el uso de materiales basados en GaN para el funcionamiento de dispositivos de alta velocidad y aplicaciones de alta potencia, como amplificadores de potencia para estaciones base inalámbricas, amplificadores de bajo ruido e interruptores de alta potencia. Los dispositivos sensores son otra aplicación importante de los materiales basados en GaN, especialmente en entornos adversos debido a la gran estabilidad térmica y química de estos materiales.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Spanisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -III-nitrides semicondutores, especificamente os materiais baseados em GaN, incluindo o GaN binário e ligas relacionadas com InN e AlN, tais como o AlGaN ternário e o InGaN, bem como o InAlGaN quaternário, foram intensamente investigados nos últimos anos devido às potenciais aplicações para dispositivos optoelectrónicos operando em curto alcance espectral de comprimento de onda e em dispositivos electrónicos de alta potência e alta temperatura. Os materiais à base de GaN são também ideais para o fabrico de detectores UV cegos de alta resposta e visíveis, devido às propriedades únicas que englobam uma ampla e directa abertura de banda, coeficientes de absorção elevados, e um corte brusco da detecção do comprimento de onda. A alta tensão de ruptura e a alta velocidade de saturação também permitem a utilização de materiais à base de GaN para o funcionamento de dispositivos de alta velocidade e aplicações de alta potência, tais como amplificadores de potência para estações base sem fios, amplificadores de baixo ruído, e interruptores de alta potência. Os dispositivos sensores são outra aplicação importante dos materiais à base de GaN, especialmente em ambientes agressivos devido à elevada estabilidade térmica e química destes materiais. 100 pp. Portugiesisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, wie das ternäre AlGaN und InGaN sowie das quaternäre InAlGaN, wurden in den letzten Jahren wegen ihrer potenziellen Anwendungen für optoelektronische Geräte, die im kurzwelligen Spektralbereich arbeiten, und für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Temperatur intensiv untersucht. Materialien auf GaN-Basis eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften, die eine breite und direkte Bandlücke, hohe Absorptionskoeffizienten und einen scharfen Cutoff für die Wellenlängenerkennung umfassen, auch ideal für die Herstellung von hochempfindlichen und sichtbaren blinden UV-Detektoren. Die hohe Durchbruchsspannung und die hohe Sättigungsgeschwindigkeit ermöglichen auch den Einsatz von GaN-basierten Materialien für Hochgeschwindigkeitsgeräte und Hochleistungsanwendungen, wie z. B. Leistungsverstärker für drahtlose Basisstationen, rauscharme Verstärker und leistungsstarke Schalter. Eine weitere wichtige Anwendung der GaN-Materialien sind Sensorvorrichtungen, insbesondere in rauen Umgebungen aufgrund der hohen thermischen und chemischen Stabilität dieser Materialien. 100 pp. Deutsch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -I semiconduttori a base di nitruri III, in particolare i materiali a base di GaN, tra cui il GaN binario e le relative leghe con InN e AlN, come il ternario AlGaN e InGaN e il quaternario InAlGaN, sono stati intensamente studiati negli ultimi anni a causa delle potenziali applicazioni per i dispositivi optoelettronici operanti nell'intervallo spettrale delle brevi lunghezze d'onda e nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta temperatura. I materiali a base di GaN sono ideali anche per la fabbricazione di rivelatori UV ciechi al visibile e altamente reattivi, grazie alle loro proprietà uniche che comprendono un band gap ampio e diretto, elevati coefficienti di assorbimento e un taglio netto della lunghezza d'onda di rivelazione. L'elevata tensione di breakdown e l'alta velocità di saturazione consentono inoltre di utilizzare i materiali a base di GaN per il funzionamento di dispositivi ad alta velocità e per applicazioni ad alta potenza, come amplificatori di potenza per stazioni radio base, amplificatori a basso rumore e interruttori ad alta potenza. I dispositivi di rilevamento sono un'altra importante applicazione dei materiali a base di GaN, soprattutto in ambienti difficili, grazie all'elevata stabilità termica e chimica di questi materiali. 100 pp. Italienisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Les semi-conducteurs à base de nitrures III, notamment les matériaux à base de GaN, y compris le GaN binaire et les alliages connexes avec l'InN et l'AlN, tels que l'AlGaN et l'InGaN ternaires ainsi que l'InAlGaN quaternaire, ont fait l'objet de recherches intensives ces dernières années en raison de leurs applications potentielles dans les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme spectrale des courtes longueurs d'onde et dans les dispositifs électroniques à haute puissance et à haute température. Les matériaux à base de GaN sont également idéaux pour la fabrication de détecteurs UV très réactifs et aveugles dans le visible en raison de leurs propriétés uniques qui englobent une bande interdite large et directe, des coefficients d'absorption élevés et une coupure nette de la longueur d'onde de détection. La tension de claquage élevée et la vitesse de saturation élevée permettent également l'utilisation de matériaux à base de GaN pour le fonctionnement de dispositifs à grande vitesse et les applications à haute puissance, comme les amplificateurs de puissance pour les stations de base sans fil, les amplificateurs à faible bruit et les commutateurs à haute puissance. Les dispositifs de détection constituent une autre application importante des matériaux à base de GaN, notamment dans les environnements difficiles, en raison de la grande stabilité thermique et chimique de ces matériaux.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Französisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, wie das ternäre AlGaN und InGaN sowie das quaternäre InAlGaN, wurden in den letzten Jahren wegen ihrer potenziellen Anwendungen für optoelektronische Geräte, die im kurzwelligen Spektralbereich arbeiten, und für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Temperatur intensiv untersucht. Materialien auf GaN-Basis eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften, die eine breite und direkte Bandlücke, hohe Absorptionskoeffizienten und einen scharfen Cutoff für die Wellenlängenerkennung umfassen, auch ideal für die Herstellung von hochempfindlichen und sichtbaren blinden UV-Detektoren. Die hohe Durchbruchsspannung und die hohe Sättigungsgeschwindigkeit ermöglichen auch den Einsatz von GaN-basierten Materialien für Hochgeschwindigkeitsgeräte und Hochleistungsanwendungen, wie z. B. Leistungsverstärker für drahtlose Basisstationen, rauscharme Verstärker und leistungsstarke Schalter. Eine weitere wichtige Anwendung der GaN-Materialien sind Sensorvorrichtungen, insbesondere in rauen Umgebungen aufgrund der hohen thermischen und chemischen Stabilität dieser Materialien.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - III-nitrides semicondutores, especificamente os materiais baseados em GaN, incluindo o GaN binário e ligas relacionadas com InN e AlN, tais como o AlGaN ternário e o InGaN, bem como o InAlGaN quaternário, foram intensamente investigados nos últimos anos devido às potenciais aplicações para dispositivos optoelectrónicos operando em curto alcance espectral de comprimento de onda e em dispositivos electrónicos de alta potência e alta temperatura. Os materiais à base de GaN são também ideais para o fabrico de detectores UV cegos de alta resposta e visíveis, devido às propriedades únicas que englobam uma ampla e directa abertura de banda, coeficientes de absorção elevados, e um corte brusco da detecção do comprimento de onda. A alta tensão de ruptura e a alta velocidade de saturação também permitem a utilização de materiais à base de GaN para o funcionamento de dispositivos de alta velocidade e aplicações de alta potência, tais como amplificadores de potência para estações base sem fios, amplificadores de baixo ruído, e interruptores de alta potência. Os dispositivos sensores são outra aplicação importante dos materiais à base de GaN, especialmente em ambientes agressivos devido à elevada estabilidade térmica e química destes materiais. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - I semiconduttori a base di nitruri III, in particolare i materiali a base di GaN, tra cui il GaN binario e le relative leghe con InN e AlN, come il ternario AlGaN e InGaN e il quaternario InAlGaN, sono stati intensamente studiati negli ultimi anni a causa delle potenziali applicazioni per i dispositivi optoelettronici operanti nell'intervallo spettrale delle brevi lunghezze d'onda e nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta temperatura. I materiali a base di GaN sono ideali anche per la fabbricazione di rivelatori UV ciechi al visibile e altamente reattivi, grazie alle loro proprietà uniche che comprendono un band gap ampio e diretto, elevati coefficienti di assorbimento e un taglio netto della lunghezza d'onda di rivelazione. L'elevata tensione di breakdown e l'alta velocità di saturazione consentono inoltre di utilizzare i materiali a base di GaN per il funzionamento di dispositivi ad alta velocità e per applicazioni ad alta potenza, come amplificatori di potenza per stazioni radio base, amplificatori a basso rumore e interruttori ad alta potenza. I dispositivi di rilevamento sono un'altra importante applicazione dei materiali a base di GaN, soprattutto in ambienti difficili, grazie all'elevata stabilità termica e chimica di questi materiali.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Farhan MansourDr. Mansour S. Farhan, professore presso il College of Engineering/Wasit University. Ha esperienza nella tecnologia di fabbricazione di film sottili per dispositivi optoelettronici - Dr. Hasan F. Khazaal, professore ass.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Farhan MansourDr. Mansour S. Farhan, Professor am College of Engineering/Wasit University. Dr. Hasan F. Khazaal, Assistenzprofessor am College of Engineering/Wasit University, hat Erfahrung in der Herstellung von Duennschichten fuer op.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -III-nitrides semicondutores, especificamente os materiais baseados em GaN, incluindo o GaN binário e ligas relacionadas com InN e AlN, tais como o AlGaN ternário e o InGaN, bem como o InAlGaN quaternário, foram intensamente investigados nos últimos anos devido às potenciais aplicações para dispositivos optoelectrónicos operando em curto alcance espectral de comprimento de onda e em dispositivos electrónicos de alta potência e alta temperatura. Os materiais à base de GaN são também ideais para o fabrico de detectores UV cegos de alta resposta e visíveis, devido às propriedades únicas que englobam uma ampla e directa abertura de banda, coeficientes de absorção elevados, e um corte brusco da detecção do comprimento de onda. A alta tensão de ruptura e a alta velocidade de saturação também permitem a utilização de materiais à base de GaN para o funcionamento de dispositivos de alta velocidade e aplicações de alta potência, tais como amplificadores de potência para estações base sem fios, amplificadores de baixo ruído, e interruptores de alta potência. Os dispositivos sensores são outra aplicação importante dos materiais à base de GaN, especialmente em ambientes agressivos devido à elevada estabilidade térmica e química destes materiais.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Portugiesisch. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, wie das ternäre AlGaN und InGaN sowie das quaternäre InAlGaN, wurden in den letzten Jahren wegen ihrer potenziellen Anwendungen für optoelektronische Geräte, die im kurzwelligen Spektralbereich arbeiten, und für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Temperatur intensiv untersucht. Materialien auf GaN-Basis eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften, die eine breite und direkte Bandlücke, hohe Absorptionskoeffizienten und einen scharfen Cutoff für die Wellenlängenerkennung umfassen, auch ideal für die Herstellung von hochempfindlichen und sichtbaren blinden UV-Detektoren. Die hohe Durchbruchsspannung und die hohe Sättigungsgeschwindigkeit ermöglichen auch den Einsatz von GaN-basierten Materialien für Hochgeschwindigkeitsgeräte und Hochleistungsanwendungen, wie z. B. Leistungsverstärker für drahtlose Basisstationen, rauscharme Verstärker und leistungsstarke Schalter. Eine weitere wichtige Anwendung der GaN-Materialien sind Sensorvorrichtungen, insbesondere in rauen Umgebungen aufgrund der hohen thermischen und chemischen Stabilität dieser Materialien.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Deutsch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -I semiconduttori a base di nitruri III, in particolare i materiali a base di GaN, tra cui il GaN binario e le relative leghe con InN e AlN, come il ternario AlGaN e InGaN e il quaternario InAlGaN, sono stati intensamente studiati negli ultimi anni a causa delle potenziali applicazioni per i dispositivi optoelettronici operanti nell'intervallo spettrale delle brevi lunghezze d'onda e nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta temperatura. I materiali a base di GaN sono ideali anche per la fabbricazione di rivelatori UV ciechi al visibile e altamente reattivi, grazie alle loro proprietà uniche che comprendono un band gap ampio e diretto, elevati coefficienti di assorbimento e un taglio netto della lunghezza d'onda di rivelazione. L'elevata tensione di breakdown e l'alta velocità di saturazione consentono inoltre di utilizzare i materiali a base di GaN per il funzionamento di dispositivi ad alta velocità e per applicazioni ad alta potenza, come amplificatori di potenza per stazioni radio base, amplificatori a basso rumore e interruttori ad alta potenza. I dispositivi di rilevamento sono un'altra importante applicazione dei materiali a base di GaN, soprattutto in ambienti difficili, grazie all'elevata stabilità termica e chimica di questi materiali.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 100 pp. Italienisch.…