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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use : An Annotated Bibliography
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use: An Annotated Bibliography
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 61,41
Spedizione EUR 14,06
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use: An Annotated Bibliography
Da: Chiron Media, Wallingford, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 57,65
Spedizione EUR 18,18
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 10 disponibili
Aggiungi al carrelloPF. Condizione: New.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 228.
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EUR 48,37
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use : An Annotated Bibliography
Lingua: Inglese
Editore: Springer US, Springer New York, 2011
ISBN 10: 1461346002 ISBN 13: 9781461346005
EUR 58,39
Spedizione EUR 62,01
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - A lithium-drifted germanium detector is a semiconductor de vice which operates at liquid nitrogen temperature, and is used for detection of nuclear radiation, mostly gamma ray. The detection occurs when the y-ray undergoes an interaction in the intrinsic or I region of the semiconductor. The interaction results in the pro duction of charge carriers which are swept out by an electric field. This is accomplished by reverse biasing the detector with approxi mately 100 v/mm of intrinsic material. The total amount of charge swept out is proportional to the energy dissipated in the intrinsic region. This may include the total energy of the photon, but gen erally somewhat less. The Ge(Li) device is a semiconductor p-n device with a very large intrinsic region between the positive carrier region and the negative carrier region (P-I-N). The fabrication of this device consists of three major steps: the diffusion of the lithium into the p-type germanium to give an n-type surface region, the drifting process to obtain the intrinsic region as deeply as possible, and the surface preparation. There are numerous procedures for the various steps as well as criteria for material selection and the preparation of the materials.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use: An Annotated Bibliography
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 101,55
Spedizione EUR 29,34
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Like New. Like New. book.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use : An Annotated Bibliography
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use (eng)
Da: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 46,22
Spedizione EUR 5,50
Spedito da Italia a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: new. Questo è un articolo print on demand.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use
Lingua: Inglese
Editore: Springer US, Chapman And Hall/CRC Nov 2011, 2011
ISBN 10: 1461346002 ISBN 13: 9781461346005
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 53,49
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A lithium-drifted germanium detector is a semiconductor de vice which operates at liquid nitrogen temperature, and is used for detection of nuclear radiation, mostly gamma ray. The detection occurs when the y-ray undergoes an interaction in the intrinsic or I region of the semiconductor. The interaction results in the pro duction of charge carriers which are swept out by an electric field. This is accomplished by reverse biasing the detector with approxi mately 100 v/mm of intrinsic material. The total amount of charge swept out is proportional to the energy dissipated in the intrinsic region. This may include the total energy of the photon, but gen erally somewhat less. The Ge(Li) device is a semiconductor p-n device with a very large intrinsic region between the positive carrier region and the negative carrier region (P-I-N). The fabrication of this device consists of three major steps: the diffusion of the lithium into the p-type germanium to give an n-type surface region, the drifting process to obtain the intrinsic region as deeply as possible, and the surface preparation. There are numerous procedures for the various steps as well as criteria for material selection and the preparation of the materials. 228 pp. Englisch.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 79,49
Spedizione EUR 7,63
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 228 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 79,66
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 228.
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Lithium-Drifted Germanium Detectors: Their Fabrication and Use
Lingua: Inglese
Editore: Springer, Springer Nov 2011, 2011
ISBN 10: 1461346002 ISBN 13: 9781461346005
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 53,49
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -A lithium-drifted germanium detector is a semiconductor de vice which operates at liquid nitrogen temperature, and is used for detection of nuclear radiation, mostly gamma ray. The detection occurs when the y-ray undergoes an interaction in the intrinsic or I region of the semiconductor. The interaction results in the pro duction of charge carriers which are swept out by an electric field. This is accomplished by reverse biasing the detector with approxi mately 100 v/mm of intrinsic material. The total amount of charge swept out is proportional to the energy dissipated in the intrinsic region. This may include the total energy of the photon, but gen erally somewhat less. The Ge(Li) device is a semiconductor p-n device with a very large intrinsic region between the positive carrier region and the negative carrier region (P-I-N). The fabrication of this device consists of three major steps: the diffusion of the lithium into the p-type germanium to give an n-type surface region, the drifting process to obtain the intrinsic region as deeply as possible, and the surface preparation. There are numerous procedures for the various steps as well as criteria for material selection and the preparation of the materials.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 228 pp. Englisch.
