Moritz brendel (6 risultati)

Buch. Condizione: Neu. Neuware - Wie ist es den Kriegsgefangenen des Ersten Weltkriegs im Habsburgerreich tatsächlich ergangen Wie wurde und wird das Schicksal der Gefangenen in der Geschichtsschreibung beleuchtet Der Band bündelt hierzu neue Forschungsergebnisse und setzte sich mit zentralen Fragen zur Thematik auseinander.Das Schicksal der Soldaten, die im Zuge des Ersten Weltkriegs von der k.u.k. Armee gefangengenommen wurden, spiegelt die Dramatik der letzten Lebensjahre des Habsburgerreichs auf vielfältige Art und Weise wider. Unterschiedliche Zuständigkeiten im Kriegsgefangenenwesen der Donaumonarchie führten zu einem Ringen um die Einhaltung völkerrechtlicher Verpflichtungen gegenüber den Feindsoldaten ebenso wie zu deren gnadenloser Ausbeutung. Zehntausende starben, Hunderttausende waren bis Kriegsende Teil eines verästelten Systems organisierter Zwangsarbeit. Bis heute wird das Los der Gefangenen in ihren Herkunftsländern oft wenig beachtet oder in nationale Narrative vom Ersten Weltkrieg eingepasst. Der Band beschäftigt sich mit den jeweiligen länderspezifischen Historiographien und untersucht darüber hinaus die Frage, welchen Prioritäten das Habsburgerreich in der Kriegsgefangenenbehandlung folgte. Aktuelle Untersuchungen verbinden sich vor diesem Hintergrund mit einer Neupositionierung der Thematik in der internationalen Kriegsgefangenenforschung.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In dieser Arbeit wurden die Einflüsse von Versetzungsdichte, Heterostruktur und Detektorgeometrie auf die elektrooptischen Eigenschaften AlGaN-basierter Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren (MSM PD) untersucht. Im Vordergrund stand dabei die Realisierung von Schottky-Typ MSM PD, die für die Photodetektion für Wellenlängen unterhalb von 300 nm geeignet sind und eine möglichst hohe externe Quanteneffizienz (EQE) aufweisen. Solche Detektoren erlauben den Nachweis von UV- Strahlung ohne störenden Einfluss des Sonnenlichts.Basierend auf experimentellen und simulierten Daten front- und rückseitig bestrahlter Al0.5Ga0.5N/AlN MSM PD auf planaren Saphir-Templates wurde eine umfangreiche Studie zusammen-gestellt, in der das Schwellen- und Sättigungsverhalten der EQE dieser Bauteile auf die Polarisationsladung am AlGaN/AlN-Hetero-Übergang zurückgeführt wurde. Darauf aufbauend wurden die Einflüsse von Schichtstruktur, Elektrodengeometrie und Metallisierungsschema auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannung untersucht und diese Optimierungsansätze so kombiniert, dass eine EQE von 24% bei 0 V erzielt werden konnte. Darüber hinaus wurden frontseitig bestrahlte Al0.4Ga0.6N MSM PD auf epitaktisch lateral überwachsenen (ELO) AlN-Templates untersucht. Dünne AlGaN-Absorberschichten wiesen dabei eine ausgeprägte Inhomogenität der Materialzusammensetzung auf. Aufgrund der damit verbundenen internen Grenzflächen entsteht Photostromverstärkung verbunden mit erhöhten Dunkelströmen. Für dicke Absorberschichten, bei denen die Materialinhomogenität tiefer unterhalb der Elektroden vergraben ist, konnte die Erhöhung der EQE ohne Verstärkung anhand eines einfachen physkalischen Modells direkt auf die reduzierte Versetzungs- dichte im AlGaN zurückgeführt werden. 196 pp. Deutsch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In dieser Arbeit wurden die Einflüsse von Versetzungsdichte, Heterostruktur und Detektorgeometrie auf die elektrooptischen Eigenschaften AlGaN-basierter Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren (MSM PD) untersucht. Im Vordergrund stand dabei die Realisierung von Schottky-Typ MSM PD, die für die Photodetektion für Wellenlängen unterhalb von 300 nm geeignet sind und eine möglichst hohe externe Quanteneffizienz (EQE) aufweisen. Solche Detektoren erlauben den Nachweis von UV- Strahlung ohne störenden Einfluss des Sonnenlichts.Basierend auf experimentellen und simulierten Daten front- und rückseitig bestrahlter Al0.5Ga0.5N/AlN MSM PD auf planaren Saphir-Templates wurde eine umfangreiche Studie zusammen-gestellt, in der das Schwellen- und Sättigungsverhalten der EQE dieser Bauteile auf die Polarisationsladung am AlGaN/AlN-Hetero-Übergang zurückgeführt wurde. Darauf aufbauend wurden die Einflüsse von Schichtstruktur, Elektrodengeometrie und Metallisierungsschema auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannung untersucht und diese Optimierungsansätze so kombiniert, dass eine EQE von 24% bei 0 V erzielt werden konnte.Darüber hinaus wurden frontseitig bestrahlte Al0.4Ga0.6N MSM PD auf epitaktisch lateral überwachsenen (ELO) AlN-Templates untersucht. Dünne AlGaN-Absorberschichten wiesen dabei eine ausgeprägte Inhomogenität der Materialzusammensetzung auf. Aufgrund der damit verbundenen internen Grenzflächen entsteht Photostromverstärkung verbunden mit erhöhten Dunkelströmen. Für dicke Absorberschichten, bei denen die Materialinhomogenität tiefer unterhalb der Elektroden vergraben ist, konnte die Erhöhung der EQE ohne Verstärkung anhand eines einfachen physkalischen Modells direkt auf die reduzierte Versetzungsdichte im AlGaN zurückgeführt werden. …

Kartoniert / Broschiert. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. KlappentextrnrnIn dieser Arbeit wurden die Einfluesse von Versetzungsdichte, Heterostruktur und Detektorgeometrie auf die elektrooptischen Eigenschaften AlGaN-basierter Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren (MSM PD) untersucht. Im Vordergrund .…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In dieser Arbeit wurden die Einflüsse von Versetzungsdichte, Heterostruktur und Detektorgeometrie auf die elektrooptischen Eigenschaften AlGaN-basierter Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren (MSM PD) untersucht. Im Vordergrund stand dabei die Realisierung von Schottky-Typ MSM PD, die für die Photodetektion für Wellenlängen unterhalb von 300 nm geeignet sind und eine möglichst hohe externe Quanteneffizienz (EQE) aufweisen. Solche Detektoren erlauben den Nachweis von UV- Strahlung ohne störenden Einfluss des Sonnenlichts.Basierend auf experimentellen und simulierten Daten front- und rückseitig bestrahlter Al0.5Ga0.5N/AlN MSM PD auf planaren Saphir-Templates wurde eine umfangreiche Studie zusammen-gestellt, in der das Schwellen- und Sättigungsverhalten der EQE dieser Bauteile auf die Polarisationsladung am AlGaN/AlN-Hetero-Übergang zurückgeführt wurde. Darauf aufbauend wurden die Einflüsse von Schichtstruktur, Elektrodengeometrie und Metallisierungsschema auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannung untersucht und diese Optimierungsansätze so kombiniert, dass eine EQE von 24% bei 0 V erzielt werden konnte.Darüber hinaus wurden frontseitig bestrahlte Al0.4Ga0.6N MSM PD auf epitaktisch lateral überwachsenen (ELO) AlN-Templates untersucht. Dünne AlGaN-Absorberschichten wiesen dabei eine ausgeprägte Inhomogenität der Materialzusammensetzung auf. Aufgrund der damit verbundenen internen Grenzflächen entsteht Photostromverstärkung verbunden mit erhöhten Dunkelströmen. Für dicke Absorberschichten, bei denen die Materialinhomogenität tiefer unterhalb der Elektroden vergraben ist, konnte die Erhöhung der EQE ohne Verstärkung anhand eines einfachen physkalischen Modells direkt auf die reduzierte Versetzungsdichte im AlGaN zurückgeführt werden.Cuvillier Verlag, Nonnenstieg 8, 37075 Göttingen 196 pp. Deutsch. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. Charakterisierung und Optimierung von (Al, Ga) N-basierten UV-Photodetektoren | Moritz Brendel | Taschenbuch | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 39 | 196 S. | Deutsch | 2017 | Cuvillier | EAN 9783736994652 | Verantwortliche Person für die EU: Cuvillier Verlag, Nonnenstieg 8, 37075 Göttingen, info[at]cuvillier[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.…