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EUR 12,62
Spedizione EUR 16,50
Spedito da Francia a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloSoftcover. Condizione: Bon. Ancien livre de bibliothèque avec équipements. Edition 1993. Ammareal reverse jusqu'à 15% du prix net de cet article à des organisations caritatives. ENGLISH DESCRIPTION Book Condition: Used, Good. Former library book. Edition 1993. Ammareal gives back up to 15% of this item's net price to charity organizations.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures (Springer Series in Materials Science)
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 115,23
Spedizione EUR 13,83
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. xiv + 428.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Lingua: Inglese
Editore: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH and Co. KG, DE, 2011
ISBN 10: 3642781292 ISBN 13: 9783642781292
Da: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 145,97
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: New. Softcover reprint of the original 1st ed. 1993.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing Iiiv Heterostructures (Springer Series in Materials Science)
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 154,35
Spedizione EUR 14,43
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 442 pages. 9.06x0.94x6.06 inches. In Stock.
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EUR 106,99
Spedizione EUR 63,34
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. This system has been highlighted because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, and has great potential for future ultra-highspeed electronics. The use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescence methods, and the use of active devices for materials evaluation is shown in detail.
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EUR 77,94
Spedizione EUR 105,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 444 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. This system has been highlighted because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, and has great potential for future ultra-highspeed electronics. The use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescence methods, and the use of active devices for materials evaluation is shown in detail.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures (Springer Series in Materials Science)
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 162,95
Spedizione EUR 28,87
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Like New. Like New. book.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures: 26 (Springer Series in Materials Science, 26)
Da: Rarewaves.com UK, London, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 138,22
Spedizione EUR 75,06
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloBook. Condizione: New. Softcover reprint of the original 1st ed. 1993.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy (eng)
Da: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 3 su 5 stelle
EUR 86,24
Spedizione EUR 6,80
Spedito da Italia a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: new. Questo è un articolo print on demand.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 151,52
Spedizione EUR 7,51
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. xiv + 428 306 Illus.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 151,81
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND pp. xiv + 428.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Lingua: Inglese
Editore: Springer, Springer Dez 2011, 2011
ISBN 10: 3642781292 ISBN 13: 9783642781292
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 106,99
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Today nobody can do without modern semiconductor technology and their application in micro- and optoelectronics. Here, the technique that is able to grow thinnest and best definded layers is described by the 'pope' of the method in whose laboratory it was developed. Whoever is involved in research and development or advanced studies in this fascinating field will welcome the unique volume with great interest.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 444 pp. Englisch.
