Importo totale (1 articolo articoli):
Destinazione ordine:
pascal meinerzhagen (23 risultati)
Vai alla pagina principale dei risultati di ricerca
Filtri di ricerca
Tipo di articolo
- Tutti i tipi di prodotto
- Libri (23)
- Riviste e Giornali (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fumetti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Spartiti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Arte, Stampe e Poster (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fotografie (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Mappe (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Manoscritti e Collezionismo cartaceo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Condizioni Maggiori informazioni
- Nuovo (23)
- Come nuovo, Ottimo o Quasi ottimo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Molto buono o Buono (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Discreto o Mediocre (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Come descritto (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Legatura
Ulteriori caratteristiche
- Prima ed. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Copia autograf. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Sovracoperta (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Con foto (11)
- Non Print on Demand (11)
Lingua (1)
Prezzo
- Qualsiasi prezzo
- Inferiore a EUR 20 (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- EUR 20 a EUR 45 (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Superiore a EUR 45
Spedizione gratuita
Paese del venditore
Valutazione venditore
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 115,52
Spedizione EUR 13,87
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 127,72
Spedizione EUR 13,87
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing AG, CH, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Da: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 143,02
Spedizione gratuita
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloHardback. Condizione: New. 1st ed. 2018.
-
Gain- Cell Embedded Drams for Low-power Vlsi Systems-on-chip
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 152,21
Spedizione EUR 11,58
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 146 pages. 9.25x6.25x0.50 inches. In Stock.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
EUR 106,99
Spedizione EUR 62,04
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 146.
-
EUR 104,15
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip | Pascal Meinerzhagen (u. a.) | Taschenbuch | ix | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9783319868554 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
EUR 117,69
Spedizione EUR 61,24
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
-
Gain-cell Embedded Drams for Low-power Vlsi Systems-on-chip
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 163,72
Spedizione EUR 23,15
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 146 pages. 9.25x6.10x0.36 inches. In Stock.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing AG, CH, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Da: Rarewaves.com UK, London, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 135,41
Spedizione EUR 75,24
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloHardback. Condizione: New. 1st ed. 2018.
-
Meinerzhagen:Gain-Cell Embedded DRAMs f (eng)
Da: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 3 su 5 stelle
EUR 86,24
Spedizione EUR 5,50
Spedito da Italia a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: new. Questo è un articolo print on demand.
-
Meinerzhagen:Gain-Cell Embedded DRAMs f (eng)
Da: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 3 su 5 stelle
EUR 94,25
Spedizione EUR 20,00
Spedito da Italia a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: new. Questo è un articolo print on demand.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing Jul 2017, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 106,99
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy. 156 pp. Englisch.
-
Gain- Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
EUR 89,99
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloGebunden. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides novel gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) designs for various low-power VLSI SoC applicationsModels the statistical retention time distribution of GC-eDRAM and validates the model by silicon measurementsDescribes various memory op.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 117,69
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy. 156 pp. Englisch.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 143,58
Spedizione EUR 7,52
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
EUR 98,54
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides novel gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) designs for various low-power VLSI SoC applicationsModels the statistical retention time distribution of GC-eDRAM and validates the model by silicon measurementsDescribes various memory op.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 145,03
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer, Birkhäuser Jul 2017, 2017
ISBN 10: 3319604015 ISBN 13: 9783319604015
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 106,99
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 156 pp. Englisch.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 166,20
Spedizione EUR 7,52
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 146.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer, Birkhäuser Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 117,69
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 156 pp. Englisch.
-
Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 168,47
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 146.
