Pesic milan (23 risultati)
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Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.California Books
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Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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Da: Chiron Media, Wallingford, Regno UnitoChiron Media
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PF. Condizione: New.
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Da: Buchhandlung Neues Leben, Salzburg, S, AustriaBuchhandlung Neues Leben
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kart. Condizione: Gut. 2., überarbeitete Auflage. 138 S. : 13 Ill. u. graph. Darst. ; 22 cm Einband etwas lagerspurig, insgesamt jedoch guter, ordentlich, innen nahezu ungelesener Zustand. Sprache: Deutsch Gewicht in Gramm: 226.
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Da: Bookbot, Prague, Repubblica CecaBookbot
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EUR 3,80
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Softcover. Condizione: Fine. Gebrochener Buchrücken / Seiten oder Softcover umgeknickt.
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno UnitoGreatBookPricesUK
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno UnitoGreatBookPricesUK
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Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
Editore: Heidelberg. Karl. F.Haug Verlag.
Da: Antiquariaat Ovidius, Bredevoort, Paesi BassiAntiquariaat Ovidius
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EUR 7,00
EUR 22,00 spedizioneSpedito da Paesi Bassi a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Condizione: Gebraucht / Used. 2., überarbeitete Auflage. 1984. Pap. 401pp. 8°. Index.
Editore: La Revue Yougoslave - Belgrade
- Rilegato
Da: Libreria Tara, Roma, RM, ItaliaLibreria Tara
Contatta il venditoreVenditore con 5 stelleCondizione: Usato - Buono
EUR 8,80
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Condizione: buono. Fotografia Fine arts Photography CONDIZIONI ACCETTABILI Volume in lingua francese - Piccola mancanza alla sovraccoperta - in 4°.
Altre immagini- Brossura
Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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EUR 18,99
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Gate Stack Engineering for Emerging Polarization based Non-volatile Memories | Milan Pesic | Taschenbuch | 152 S. | Englisch | 2017 | Books on Demand GmbH | EAN 9783744867887 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter…: preigu.
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Da: CSG Onlinebuch GMBH, Darmstadt, GermaniaCSG Onlinebuch GMBH
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EUR 3,87
EUR 95,00 spedizioneSpedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Broschiert. Condizione: Sehr gut. Gebraucht - Sehr gut.
Editore: Haug, Heidelb., 1984
Da: Antiquariat Johannes Herlyn, Freiburg, GermaniaAntiquariat Johannes Herlyn
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EUR 24,00
EUR 20,00 spedizioneSpedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
broschiert/Taschenbuch. 401 S. OKt. Außen etwas gealtert; N.a.V.; innen gut. Auflage: 2 ISBN 3776007494 /// 2., überarb.Aufl.
Editore: La Revue Yougoslave - Belgrade 1900
Da: Libreria Tara, Roma, RM, ItaliaLibreria Tara
Contatta il venditoreVenditore con 5 stelleCondizione: Usato - Buono
EUR 16,50
EUR 35,00 spedizioneSpedito da Italia a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Condizione: buono. Art - Photography OTTIME CONDIZIONI Volume in lingua francesein 4°.
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Da: Bücher Eule, Bern, SvizzeraBücher Eule
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EUR 23,00
EUR 45,00 spedizioneSpedito da Svizzera a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
8°. 118 S., broschiert (gut erhalten).
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Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.PBShop.store US
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EUR 30,72
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PAP. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Da: Bücher Eule, Bern, SvizzeraBücher Eule
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EUR 26,00
EUR 45,00 spedizioneSpedito da Svizzera a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
8°. 274 S., einige Abbildungen, broschiert (ohne Titelblatt; Einband leicht berieben).
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Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno UnitoPBShop.store UK
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Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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EUR 18,99
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The hafnium based ferroelectric memories offer a low power consumption, ultra-fast operation, non-volatile retention as well as the small relative cell size as the main requirements for future memories. These remarkable properties…of ferroelectric memories make them promising candidates for non-volatile memories that would bridge the speed gap between fast logic and slow off-chip, long term storage. Even though the retention of hafnia based ferroelectric memories can be extrapolated to a ten-year specification target, they suffer from a rather limited endurance. Therefore, this work targets relating the field cycling behavior of hafnia based ferroelectric memories to the physical mechanisms taking place within the film stack. Establishing a correlation between the performance of the device and underlying physical mechanisms is the first step toward understanding the device and engineering guidelines for novel, superior devices.In the frame of this work, an in-depth ferroelectric and dielectric characterization, analysis and TEM study was combined with comprehensive modeling approach. Drift and diffusion based vacancy redistribution was found as the main cause for the phase transformation and consequent increase of the remnant polarization, while domain pinning and defect generation is identified to be responsible for the device fatigue. Finally, based on Landau theory, a simple way to utilize the high endurance strength of anti-ferroelectric (AFE) materials and achieve non-volatility in state-of-the-art DRAM stacks was proposed and the fabrication of the world's first non-volatile AFE-RAM is reported. These findings represent an important milestone and pave the way toward a commercialization of (anti)ferroelectric non-volatile memories based on simple binary-oxides. 152 pp. Englisch.
Lingua: Lingue multiple
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- Prima edizione
Da: AMSELBEIN - Antiquariat und Neubuch, Bad Fischau - Brunn, AustriaAMSELBEIN - Antiquariat und Neubuch
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EUR 110,00
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Softcover. Condizione: Sehr gut. 1000 Exempl. Einband berieben, sonst sehr gut.
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Da: moluna, Greven, Germaniamoluna
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Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The hafnium based ferroelectric memories offer a low power consumption, ultra-fast operation, non-volatile retention as well as the small relative cell size as the main requirements for future memories. These remarka…ble properties of ferroelectric memories .
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 18,99
EUR 61,15 spedizioneSpedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The hafnium based ferroelectric memories offer a low power consumption, ultra-fast operation, non-volatile retention as well as the small relative cell size as the main requirements for future memories. These remarkable properties of fe…rroelectric memories make them promising candidates for non-volatile memories that would bridge the speed gap between fast logic and slow off-chip, long term storage. Even though the retention of hafnia based ferroelectric memories can be extrapolated to a ten-year specification target, they suffer from a rather limited endurance. Therefore, this work targets relating the field cycling behavior of hafnia based ferroelectric memories to the physical mechanisms taking place within the film stack. Establishing a correlation between the performance of the device and underlying physical mechanisms is the first step toward understanding the device and engineering guidelines for novel, superior devices.In the frame of this work, an in-depth ferroelectric and dielectric characterization, analysis and TEM study was combined with comprehensive modeling approach. Drift and diffusion based vacancy redistribution was found as the main cause for the phase transformation and consequent increase of the remnant polarization, while domain pinning and defect generation is identified to be responsible for the device fatigue. Finally, based on Landau theory, a simple way to utilize the high endurance strength of anti-ferroelectric (AFE) materials and achieve non-volatility in state-of-the-art DRAM stacks was proposed and the fabrication of the world's first non-volatile AFE-RAM is reported. These findings represent an important milestone and pave the way toward a commercialization of (anti)ferroelectric non-volatile memories based on simple binary-oxides.
