Petta veera bala vasantha kumar (30 risultati)

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Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: S. Murti Sarma N.N.S.Murtisarma is a professor of ECE at sreeenidhi Institute of science and Technology,yamnampet of Ghatakesar of telangana state. Petta veera Bala Vasanthakumar is a successful scholar of JNTUH, Telangana state. H.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - En esta monografía se abordan los retos que plantean la potencia de fuga, la integridad de la potencia debido a las celdas de repuesto y la caída máxima de IR, respectivamente. El alcance de la solución propuesta se sitúa en el nivel de diseño físico cercano al cierre del diseño, donde las herramientas de optimización disponen de recursos limitados para resolver estos retos. Sin embargo, hay mucho margen para futuros trabajos en otras áreas del espectro de baja PM, como el nivel de circuitos, el nivel de arquitectura, el nivel de diseño y el nivel de codificación de software. La mayoría de los diseñadores de semiconductores actuales no se sienten atraídos por técnicas muy recientes, como los flujos ECO de matrices de puertas que utilizan kits ECO proporcionados por proveedores de bibliotecas, debido al esfuerzo que supone modificar los flujos existentes y a los ajustados plazos de diseño. La técnica propuesta de 'asignación óptima de estados' puede ayudar a reducir las fugas de las celdas de repuesto sin afectar a los flujos de diseño, pero el cambio a estas nuevas técnicas ayudará a reducir completamente la potencia de fuga de las celdas de repuesto. Otra posible área de investigación futura es el uso de bibliotecas de 65 nm, 45 nm, 32 nm y 28 nm para la implementación de diversas arquitecturas con un flujo de datos intensivo, con el fin de validar la técnica propuesta de 'reducción selectiva de fallos'.…

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Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In dieser Monografie werden die Probleme der Leckstromleistung, der Stromintegrität aufgrund von Ersatzzellen und Spitzen-IR-Abfällen behandelt. Der Umfang der vorgeschlagenen Lösung liegt auf der Ebene des physikalischen Designs nahe dem Designabschluss, wo Optimierungswerkzeuge nur über begrenzte Ressourcen zur Behebung dieser Probleme verfügen. Es gibt jedoch viel Spielraum für zukünftige Arbeiten in anderen Bereichen des Low-PM-Spektrums, wie z. B. auf Schaltungsebene, Architekturebene, Design-Ebene und Software-Codierungsebene. Die meisten heutigen Halbleiterentwickler sind aufgrund des Aufwands für die Änderung bestehender Abläufe und der engen Design-Zeitpläne nicht an sehr neuen Techniken wie Gate-Array-ECO-Abläufen unter Verwendung von ECO-Kits von Bibliotheksanbietern interessiert. Die vorgeschlagene Technik der 'optimalen Zustandszuweisung' kann dazu beitragen, die Leckage von Ersatzzellen zu reduzieren, ohne die Designabläufe zu beeinträchtigen, aber die Umstellung auf diese neuen Techniken wird zu einer vollständigen Reduzierung der Leckleistung von Ersatzzellen beitragen. Ein weiterer möglicher Bereich für zukünftige Untersuchungen ist die Verwendung von 65-nm-, 45-nm-, 32-nm- und 28-nm-Bibliotheken für die Implementierung verschiedener datenflussintensiver Architekturen, um die vorgeschlagene Technik der 'selektiven Glitch-Reduzierung' zu validieren.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In questa monografia vengono affrontati rispettivamente i problemi relativi alla potenza di dispersione, all'integrità dell'alimentazione dovuti alle celle di riserva e al calo di IR di picco. L'ambito della soluzione proposta risiede nel livello di progettazione fisica vicino alla chiusura del progetto, dove gli strumenti di ottimizzazione dispongono di risorse limitate per risolvere questi problemi. Tuttavia, vi è ampio margine per lavori futuri in altri settori dello spettro a bassa PM, come a livello di circuito, di architettura, di progettazione e di codifica software. La maggior parte dei progettisti di semiconduttori odierni non è orientata verso tecniche molto recenti come i flussi ECO gate array che utilizzano kit ECO forniti dai fornitori di librerie, a causa degli sforzi necessari per modificare i flussi esistenti e dei tempi di progettazione ristretti. La tecnica proposta di 'assegnazione ottimale dello stato' può aiutare a ridurre la dispersione delle celle di riserva senza influire sui flussi di progettazione, ma il passaggio a queste nuove tecniche contribuirà alla completa riduzione della potenza di dispersione delle celle di riserva. Un'altra possibile area di indagine futura è l'utilizzo di librerie a 65 nm, 45 nm, 32 nm e 28 nm per l'implementazione di varie architetture ad alta intensità di flusso di dati, al fine di convalidare la tecnica proposta di 'riduzione selettiva dei glitch'.…

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