Tripathi rajan (58 risultati)
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Unravelling the Soil Microbiome : Perspectives for Environmental Sustainability
Dubey, Rama Kant; Tripathi, Vishal; Prabha, Ratna; Chaurasia, Rajan; Singh, Dhananjaya Pratap
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2019
Serie: Libro 81 di 99 - SpringerBriefs in Environmental Science
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Unravelling the Soil Microbiome : Perspectives for Environmental Sustainability
Dubey, Rama Kant; Tripathi, Vishal; Prabha, Ratna; Chaurasia, Rajan; Singh, Dhananjaya Pratap
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Editore: Springer, 2019
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Editore: Springer 2019-06-04, 2019
Serie: Libro 81 di 99 - SpringerBriefs in Environmental Science
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Unravelling the Soil Microbiome : Perspectives for Environmental Sustainability
Dubey, Rama Kant; Tripathi, Vishal; Prabha, Ratna; Chaurasia, Rajan; Singh, Dhananjaya Pratap
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Editore: Springer, 2019
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Unravelling the Soil Microbiome
Dubey, Rama Kant; Tripathi, Vishal; Prabha, Ratna; Chaurasia, Rajan; Singh, Dhananjaya Pratap; Rao, Ch. Srinivasa; El-Keblawy, Ali; Abhilash, Purushothaman Chirakkuzhyil
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Editore: Springer, 2019
Serie: Libro 81 di 99 - SpringerBriefs in Environmental Science
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Unravelling the Soil Microbiome : Perspectives for Environmental Sustainability
Dubey, Rama Kant; Tripathi, Vishal; Prabha, Ratna; Chaurasia, Rajan; Singh, Dhananjaya Pratap
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Editore: Springer, 2019
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Editore: Springer, 2019
Serie: Libro 81 di 99 - SpringerBriefs in Environmental Science
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Unravelling the Soil Microbiome: Perspectives For Environmental Sustainability
Dubey, Rama Kant; Tripathi, Vishal; Prabha, Ratna; Chaurasia, Rajan; Singh, Dhananjaya Pratap; Rao, Ch. Srinivasa; El-Keblawy, Ali; Abhilash, Purushothaman Chirakkuzhyil
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Editore: Springer, 2019
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Design of Low Leakage SRAM | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | 56 S. | Englisch | 2018 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786139907861 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. A Guide to increase efficiency of solar cell using water condenser | Rajan Tripathi | Taschenbuch | 52 S. | Englisch | 2020 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786202515054 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de… | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Conception d'une SRAM à faible fuite | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | Französisch | 2023 | Editions Notre Savoir | EAN 9786205915264 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Desenho de SRAM de Baixa Fuga | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | Portugiesisch | 2023 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786205915295 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Progettazione di SRAM a bassa dispersione | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | Italienisch | 2023 | Edizioni Sapienza | EAN 9786205915288 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | 56 S. | Deutsch | 2023 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786205915240 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-t…hreshold current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block. 56 pp. Englisch.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book describes how we can reduce the amount of water and electrical energy required to cool the solar panels, particularly in hot arid regions. How to develop a cooling system based on PV panel water spraying. A cooling model…has been developed to determine how long it takes to cool down the PV panels to its normal operating temperature. It is found that the PV panels yield the highest output energy if cooling of the panels starts when the temperature of the PV panels reaches a maximum allowable temperature. 52 pp. Englisch.
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Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, GermaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La mayor parte de la investigación sobre el consumo de energía de los circuitos se ha centrado en la potencia de conmutación y la potencia disipada por la corriente de fuga ha sido el área relativamente menor. Sin embargo, en el pr…oceso VLSI actual, la corriente de subumbral se convierte en uno de los principales factores del consumo de energía, especialmente en las memorias de gama alta. Para reducir la potencia de fuga en la SRAM, se puede aplicar el método de activación de potencia y una de las principales técnicas de activación de potencia es el uso de transistores de reposo para controlar la corriente subumbral. En este proyecto, se adoptan voltajes de umbral duales; las células SRAM normales tienen voltajes de umbral más bajos y los voltajes de umbral más altos controlan los transistores de reposo. El tamaño de los transistores sleep puede elegirse en función de la corriente del peor caso y se aplican a cada bloque. 52 pp. Spanisch.
