Witvrouw ann (22 risultati)
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors (Springer Series in Advanced Microelectronics, 44)
Gonzalez Ruiz, Pilar Gonzalez; De Meyer, Kristin; Witvrouw, Ann
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2015
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Pilar Gonzalez Gonzalez Ruiz, Kristin De Meyer, Ann Witvrouw
Lingua: Inglese
Editore: Springer 2015-08-08, 2015
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer Netherlands, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer Netherlands, 2015
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer Verlag, 2013
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Gonzalez Ruiz, Pilar Gonzalez; De Meyer, Kristin; Witvrouw, Ann
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2015
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Polycrystalline SiGe has emerged as a promising MEMS (Microelectromechanical Systems) structural material since it provides the desired mechanical properties at lower temperatures compared to poly-Si, allowing the direct post-processing on top of…CMOS. This CMOS-MEMS monolithic integration can lead to more compact MEMS with improved performance. The potential of poly-SiGe for MEMS above-aluminum-backend CMOS integration has already been demonstrated. However, aggressive interconnect scaling has led to the replacement of the traditional aluminum metallization by copper (Cu) metallization, due to its lower resistivity and improved reliability. Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS sensors demonstrates the compatibility of poly-SiGe with post-processing above the advanced CMOS technology nodes through the successful fabrication of an integrated poly-SiGe piezoresistive pressure sensor, directly fabricated above 0.13 ¿m Cu-backend CMOS. Furthermore, this book presents the first detailed investigation on the influence of deposition conditions, germanium content and doping concentration on the electrical and piezoresistive properties of boron-doped poly-SiGe. The development of a CMOS-compatible process flow, with special attention to the sealing method, is also described. Piezoresistive pressure sensors with different areas and piezoresistor designs were fabricated and tested. Together with the piezoresistive pressure sensors, also functional capacitive pressure sensors were successfully fabricated on the same wafer, proving the versatility of poly-SiGe for MEMS sensor applications. Finally, a detailed analysis of the MEMS processing impact on the underlying CMOS circuit is also presented.
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Editore: Springer, 2013
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Editore: Springer, 2013
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Editore: Springer, 2013
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Editore: Springer, 2015
Serie: Libro 40 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors
Gonzalez Ruiz, Pilar Gonzalez; De Meyer, Kristin; Witvrouw, Ann
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Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Gonzalez Ruiz, Pilar Gonzalez; De Meyer, Kristin; Witvrouw, Ann
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Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Gonzalez Ruiz, Pilar Gonzalez; De Meyer, Kristin; Witvrouw, Ann
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