Xinbo (340 risultati)
Compound Semiconductor Materials and Devices
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Compound Semiconductor Materials and Devices
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Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Advances in Natural Computation: Second International Conference, ICNC 2006, Xi'an, China, September 24-28, 2006, Proceedings, Part II (Lecture Notes . Computer Science and General Issues)
Jiao, Licheng [Editor]; Wang, Lipo [Editor]; Gao, Xinbo [Editor]; Liu, Jing [Editor]; Wu, Feng [Editor];
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Compound Semiconductor Materials and Devices (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Compound Semiconductor Materials and Devices
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Compound Semiconductor Materials and Devices (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
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Compound Semiconductor Materials and Devices
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Big Data : 6th CCF Conference, Big Data 2018, Xi'an, China, October 11-13, 2018 Proceedings
Xu, Zongben (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Miao, Qiguang (EDT); Zhang, Yunquan (EDT); Bu, Jiajun (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2018
Serie: Libro 247 di 578 - Communications in Computer and Information Science
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Network and Parallel Computing : 13th Ifip Wg 10.3 International Conference, Proceedings
Gao, Guang R. (EDT); Qian, Depei (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Chapman, Barbara (EDT); Chen, Wenguang (EDT)
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Network and Parallel Computing : 13th Ifip Wg 10.3 International Conference, Proceedings
Gao, Guang R. (EDT); Qian, Depei (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Chapman, Barbara (EDT); Chen, Wenguang (EDT)
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Xu, Zongben (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Miao, Qiguang (EDT); Zhang, Yunquan (EDT); Bu, Jiajun (EDT)
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors. Readers are offered an inspiring example of monolithic integration of HEMT with LEDs, too. The authors compile the most relevant aspects of III-V HEMT, including the current status of state-of-art HEMTs, their possibility of replacing the Si CMOS transistor channel, and growth opportunities of III-V materials on an Si substrate. With detailed exploration and explanations, the book is a helpful source suitable for anyone learning about and working on compound semiconductor devices.…
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