Isbn: 9780750309936 - strained-si heterostructure field effect devices (13 risultati)
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Editore: CRC Press, 2007
Serie: Libro 3 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Condizione: New. C.K Maiti, S Chattopadhyay, L.K BeraA combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufactu.
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Editore: Inst of Physics Pub Inc, 2007
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Hardcover. Condizione: Brand New. 1st edition. 440 pages. 9.50x6.50x0.75 inches. In Stock.
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Editore: Taylor & Francis Group, 2007
Serie: Libro 3 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Editore: Taylor & Francis Ltd Jan 2007, 2007
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Buch. Condizione: Neu. Neuware - This book brings together the materials science, manufacturing processes, and innovative research and developments of SiGe and strained-Si for the first time in book form. It contains the latest state-of-the-art information on strain engineering in silicon CMOS and strained-Si-based integrated circuit technology as well as strain-engineered MOSFETs. The book presents various aspects of silicon heterostructure materials, processes, devices, and applications. It also includes up-to-date research results, a comprehensive list of seminal references, 300 figures, and 30 tables. The diversity of R&D activities and results presented in this book will undoubtedly spark further development in the field.…
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Editore: Taylor & Francis Group, 2007
Serie: Libro 3 di 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Da: Majestic Books, Hounslow, Regno UnitoMajestic Books
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