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9781786347152 - Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals di Velichko, Oleg (25 risultati)
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
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Condizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Da: Basi6 International, Irving, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
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COUPLED DIFFUSION OF IMPURITY ATOMS AND POINT DEFECTS IN SILICON CRYSTALS
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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COUPLED DIFFUSION OF IMPURITY ATOMS AND POINT DEFECTS IN SILICON CRYSTALS
Da: Basi6 International, Irving, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 113,26
Spedizione EUR 7,53
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
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Condizione: New. Brand New Original US Edition. Customer service! Satisfaction Guaranteed.
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 111,06
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 158,61
Spedizione EUR 2,32
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
HRD. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 163,85
Spedizione EUR 2,32
Spedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 161,24
Spedizione EUR 6,80
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 15 disponibili
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 155,19
Spedizione EUR 17,39
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 145,65
Spedizione EUR 28,98
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
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EUR 66,59
Spedizione EUR 105,00
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Aggiungi al carrelloCondizione: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 404 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 166,20
Spedizione EUR 17,39
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Coupled Diffusion Impurity Atoms & Point Defects Silicon
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 170,69
Spedizione EUR 13,89
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 172,37
Spedizione EUR 18,56
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 208,09
Spedizione EUR 14,49
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Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 370 pages. 9.50x6.50x1.00 inches. In Stock.
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno Unito
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EUR 161,26
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EUR 148,45
Spedizione EUR 70,00
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON | Velichko Oleg | Buch | Gebunden | Englisch | 2019 | WSPC (Europe) | EAN 9781786347152 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
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EUR 177,41
Spedizione EUR 63,67
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
