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9783319868554 - Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip di Meinerzhagen, Pascal; Teman, Adam; Giterman, Robert; Edri, Noa; Burg, Andreas; Fish, Alexander (11 risultati)
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 126,80
Spedizione EUR 13,87
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 146.
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EUR 104,15
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip | Pascal Meinerzhagen (u. a.) | Taschenbuch | ix | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9783319868554 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
EUR 117,69
Spedizione EUR 61,24
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
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Gain-cell Embedded Drams for Low-power Vlsi Systems-on-chip
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 164,08
Spedizione EUR 23,16
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 146 pages. 9.25x6.10x0.36 inches. In Stock.
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Meinerzhagen:Gain-Cell Embedded DRAMs f (eng)
Da: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 94,25
Spedizione EUR 20,00
Spedito da Italia a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: new. Questo è un articolo print on demand.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 117,69
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy. 156 pp. Englisch.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
EUR 98,54
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides novel gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) designs for various low-power VLSI SoC applicationsModels the statistical retention time distribution of GC-eDRAM and validates the model by silicon measurementsDescribes various memory op.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 165,91
Spedizione EUR 7,53
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 146.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 168,47
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 146.
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Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Lingua: Inglese
Editore: Springer, Birkhäuser Mai 2018, 2018
ISBN 10: 3319868551 ISBN 13: 9783319868554
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 117,69
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 156 pp. Englisch.
