9783540714903 - advanced gate stacks for high-mobility semiconductors: 27 (11 risultati)
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Editore: Springer, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 408 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike…. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Editore: Springer, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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Editore: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility…semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Editore: SPRINGER, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Da: UK BOOKS STORE, London, LONDO, Regno UnitoUK BOOKS STORE
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Editore: Saunders, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Editore: Springer Berlin Heidelberg Nov 2007, 2007
Serie: Libro 13 di 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Buch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The… reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology. 408 pp. Englisch.
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Editore: Springer Berlin Heidelberg, 2007
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Da: moluna, Greven, Germaniamoluna
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Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technologyCovers the major latest developments and basicsA reference work for researchers, engineers and graduate students alikeDr. Dimoulas obtained his Ph.D i…n Applied Phy.
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Editore: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Nov 2007, 2007
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Buch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The rea…der will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 408 pp. Englisch.
