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9783662496817 - The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based Mos Devices di Li, Zhiqiang (12 risultati)
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (Springer Theses)
Libro 107 di 797: Springer ThesesEUR 17,75
Spedizione EUR 8,61
Spedito da Canada a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Very Good. Used - Very Good.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (Springer Theses) [Hardcover] Li, Zhiqiang
Libro 107 di 797: Springer ThesesPrima edizione
EUR 20,80
Spedizione EUR 39,90
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: As New. 1. Auflage. Unread, like new. Immediately dispatched from Germany.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (Springer Theses)
Libro 107 di 797: Springer ThesesDa: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 59.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Libro 107 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg, 2016
ISBN 10: 366249681X ISBN 13: 9783662496817
EUR 48,37
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Libro 107 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg, 2016
ISBN 10: 366249681X ISBN 13: 9783662496817
EUR 53,49
Spedizione EUR 61,55
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Libro 107 di 797: Springer ThesesEUR 17,34
Spedizione EUR 105,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600¿ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10¿7¿¿cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (eng)
Libro 107 di 797: Springer ThesesDa: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 46,22
Spedizione EUR 5,50
Spedito da Italia a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Libro 107 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg Jun 2016, 2016
ISBN 10: 366249681X ISBN 13: 9783662496817
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 53,49
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. 80 pp. Englisch.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (Springer Theses)
Libro 107 di 797: Springer ThesesDa: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 73,22
Spedizione EUR 7,53
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 59.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (Springer Theses)
Libro 107 di 797: Springer ThesesDa: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 68,79
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 59.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Libro 107 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer, Springer Jun 2016, 2016
ISBN 10: 366249681X ISBN 13: 9783662496817
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 53,49
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600¿ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10¿7¿¿cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 80 pp. Englisch.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Libro 107 di 797: Springer ThesesEUR 50,25
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices | Zhiqiang Li | Buch | Springer Theses | xiv | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783662496817 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
