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9783838333885 - Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application: Characterization of Hafnium Based Oxide Thin Films Deposited by CVD: Characterization of ... For High-k A... (10 risultati)
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application:.
Lingua: Inglese
Editore: LAP Lambert Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-K Application: Characterization Of Hafnium Based Oxide Thin Films Deposited By Cvd
Lingua: Inglese
Editore: Lap Lambert Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 155,30
Spedizione EUR 11,73
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 232 pages. 8.58x5.91x0.63 inches. In Stock.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-K Application: Characterization Of Hafnium Based Oxide Thin Films Deposited By Cvd
Lingua: Inglese
Editore: Lap Lambert Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 158,53
Spedizione EUR 11,73
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 232 pages. 8.58x5.91x0.63 inches. In Stock.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2010, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 49,00
Spedizione EUR 23,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Novel materials with high-dielectric(k) constants are rapidly gaining attention for their application as gate insulator for future MOS transistors. This book provides the basic principles underlying chemical vapor deposition (CVD) of hafnium oxide and hafnium silicate thin films for high-k application. In addition to the deposition fundamentals, the discussions in the book provide valuable insights to various chemical and physical characterization techniques that can be applied to thin films in general. This easy-to-understand and well- illustrated text is designed for both beginners as well as advanced researchers with a good introduction to the subject of high-k thin films. 232 pp. Englisch.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application : Characterization of Hafnium Based Oxide Thin Films Deposited by CVD & Plasma-CVD For High-k Application in Transistors
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
EUR 49,59
Spedizione EUR 61,82
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Novel materials with high-dielectric(k) constants are rapidly gaining attention for their application as gate insulator for future MOS transistors. This book provides the basic principles underlying chemical vapor deposition (CVD) of hafnium oxide and hafnium silicate thin films for high-k application. In addition to the deposition fundamentals, the discussions in the book provide valuable insights to various chemical and physical characterization techniques that can be applied to thin films in general. This easy-to-understand and well- illustrated text is designed for both beginners as well as advanced researchers with a good introduction to the subject of high-k thin films.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application | Characterization of Hafnium Based Oxide Thin Films Deposited by CVD & Plasma-CVD For High-k Application in Transistors
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
EUR 43,35
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application | Characterization of Hafnium Based Oxide Thin Films Deposited by CVD & Plasma-CVD For High-k Application in Transistors | Harish Bhandari | Taschenbuch | 232 S. | Englisch | 2010 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783838333885 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
EUR 63,42
Spedizione EUR 48,99
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Bhandari HarishHarish Bhandari received the Bachelors in Chemical Engineering (2000) from Bangalore University, India. He earned his M.S. and Ph.D. (2006) in Chemical Engineering at the University of Alabama. He is currently a Res.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application:.
Lingua: Inglese
Editore: LAP Lambert Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 129,30
Spedizione EUR 7,62
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application:.
Lingua: Inglese
Editore: LAP Lambert Academic Publishing, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 128,84
Spedizione EUR 9,95
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND.
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Hafnium Oxide And Hafnium Silicate For High-k Application
Lingua: Inglese
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Sep 2010, 2010
ISBN 10: 3838333888 ISBN 13: 9783838333885
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 79,00
Spedizione EUR 60,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Novel materials with high-dielectric(k) constants are rapidly gaining attention for their application as gate insulator for future MOS transistors. This book provides the basic principles underlying chemical vapor deposition (CVD) of hafnium oxide and hafnium silicate thin films for high-k application. In addition to the deposition fundamentals, the discussions in the book provide valuable insights to various chemical and physical characterization techniques that can be applied to thin films in general. This easy-to-understand and well- illustrated text is designed for both beginners as well as advanced researchers with a good introduction to the subject of high-k thin films.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 232 pp. Englisch.
