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9789811255359 - Modeling And Parameter Extraction Techniques Of Silicon-based Radio Frequency Devices di Zhang, Ao; Gao, Jianjun (11 risultati)
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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-based Radio Frequency Devices
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Modeling And Parameter Extraction Techniques Of Silicon-based Radio Frequency Devices
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2023
ISBN 10: 9811255350 ISBN 13: 9789811255359
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-based Radio Frequency Devices
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 139,54
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Modeling And Parameter Extraction Techniques Of Silicon-based Radio Frequency Devices
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Publishing Company, 2023
ISBN 10: 9811255350 ISBN 13: 9789811255359
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 147,94
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 15 disponibili
Aggiungi al carrelloHRD. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-based Radio Frequency Devices
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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EUR 145,95
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-based Radio Frequency Devices
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 147,20
Spedizione EUR 17,36
Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Modeling And Parameter Extraction Techniques Of Silicon-based Radio Frequency Devices
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 152,12
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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-based Radio Frequency Devices
Lingua: Inglese
Editore: World Scientific Pub Co Inc, 2023
ISBN 10: 9811255350 ISBN 13: 9789811255359
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 179,30
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Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 350 pages. 9.25x6.26x0.94 inches. In Stock.
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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-Based Radio Frequency Devices
Lingua: Inglese
Editore: WORLD SCIENTIFIC PUB CO INC, 2023
ISBN 10: 9811255350 ISBN 13: 9789811255359
EUR 127,79
Spedizione EUR 48,99
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Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. KlappentextThis comprehensive compendium describes the basic modeling techniques for silicon-based semiconductor devices, introduces the basic concepts of silicon-based passive and active devices, and provides its state-of-the-art modeli.
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MODEL & PARAMETER EXTRACT TECH SILICON-BASED RADIO FREQ DEV
Editore: World Scientific, 2023
ISBN 10: 9811255350 ISBN 13: 9789811255359
EUR 132,50
Spedizione EUR 70,00
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. MODEL & PARAMETER EXTRACT TECH SILICON-BASED RADIO FREQ DEV | Zhang Ao | Buch | Gebunden | Englisch | 2023 | World Scientific | EAN 9789811255359 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
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MODEL & PARAMETER EXTRACT TECH SILICON-BASED RADIO FREQ DEV
Editore: World Scientific
ISBN 10: 9811255350 ISBN 13: 9789811255359
EUR 158,34
Spedizione EUR 63,10
Spedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This comprehensive compendium describes the basic modeling techniques for silicon-based semiconductor devices, introduces the basic concepts of silicon-based passive and active devices, and provides its state-of-the-art modeling and equivalent circuit parameter extraction methods.The unique reference text benefits practicing engineers, technicians, senior undergraduate and first-year graduate students working in the areas of RF, microwave and solid-state device, and integrated circuit design.
