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9789811325342 - Formation of Knbo3 Thin Films for Self-powered Reram Devices and Artificial Synapses di Lee, Tae-ho (15 risultati)
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses.
Libro 511 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Puchong, Selangor D.E., Springer., 2018
ISBN 10: 9811325340 ISBN 13: 9789811325342
Da: Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, Germania
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Formation of Knbo3 Thin Films for Self-powered Reram Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses (Springer Theses)
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: California Books, Miami, FL, U.S.A.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesEUR 11,13
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Aggiungi al carrelloCondizione: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth.This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system.
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Formation of Knbo3 Thin Films for Self-powered Reram Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses (Springer Theses)
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Formation of Knbo3 Thin Films for Self-powered Reram Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Formation of Knbo3 Thin Films for Self-powered Reram Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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EUR 128,34
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Spedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer Nature Singapore, Springer Nature Singapore, 2018
ISBN 10: 9811325340 ISBN 13: 9789811325342
EUR 109,94
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth.This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses (eng)
Libro 511 di 797: Springer ThesesDa: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer Nature Singapore Okt 2018, 2018
ISBN 10: 9811325340 ISBN 13: 9789811325342
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth.This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system. 120 pp. Englisch.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesEUR 92,27
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Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Nominated as an outstanding Ph.D. thesis by Department of Materials Science and Engineering, Korea UniversityReports the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesEUR 95,70
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses | Tae-Ho Lee | Buch | Springer Theses | xxi | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9789811325342 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Libro 511 di 797: Springer ThesesLingua: Inglese
Editore: Springer, Springer Okt 2018, 2018
ISBN 10: 9811325340 ISBN 13: 9789811325342
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth.This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 120 pp. Englisch.
