Importo totale (1 articolo articoli):
Destinazione ordine:
drift diffusion equation applications mosfet (22 risultati)
Vai alla pagina principale dei risultati di ricerca
Filtri di ricerca
Tipo di articolo
- Tutti i tipi di prodotto
- Libri (22)
- Riviste e Giornali (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fumetti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Spartiti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Arte, Stampe e Poster (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fotografie (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Mappe (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Manoscritti e Collezionismo cartaceo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Condizioni Maggiori informazioni
- Nuovo (18)
- Come nuovo, Ottimo o Quasi ottimo (3)
- Molto buono o Buono (1)
- Discreto o Mediocre (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Come descritto (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Legatura
Ulteriori caratteristiche
- Prima ed. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Copia autograf. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Sovracoperta (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Con foto (9)
- Non Print on Demand (17)
Lingua (1)
Spedizione gratuita
Paese del venditore
Valutazione venditore
-
Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling (Computational Microelectronics)
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling (Paperback or Softback)
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Paperback or Softback. Condizione: New. The Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling. Book.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling (Computational Microelectronics)
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: California Books, Miami, FL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: New.
-
Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Condizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling (Computational Microelectronics)
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 57,95
EUR 13,67 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. In.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Chiron Media, Wallingford, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 56,19
EUR 17,68 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 10 disponibili
Aggiungi al carrelloPF. Condizione: New.
-
Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 57,73
EUR 17,12 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. 288.
-
Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 65,53
EUR 17,12 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: As New. Unread book in perfect condition.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 79,10
EUR 11,41 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 288 pages. 9.61x6.69x0.65 inches. In Stock.
-
The Drift Diffusion Equation and its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 7,69
EUR 105,00 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 53,49
EUR 62,51 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconductor devices. However, the tremendous speed in the development of the semiconductor industry demands numerical simulation tools that are efficient and provide reliable results. This makes the development of a simulation tool an interdisciplinary task in which physics, numerical algorithms, and device technology merge. For the sake of an efficient code there are trade-offs between the different influencing factors. The numerical performance of a program that is highly flexible in device types and the geometries it covers certainly cannot compare with a program that is optimized for one type of device only. Very often the device is sufficiently described by a two dimensional geometry. This is the case in a MOSFET, for example, if the gate length is small compared with the gate width. In these cases the geometry reduces to the specification of a two-dimensional device. Here again the simplest geometries, which are planar or at least rectangular surfaces, will give the most efficient numerical codes. The device engineer has to decide whether this reduced description of the real device is still suitable for his purposes.
-
The Drift Diffusion Equation and its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
Condizione: New. pp. xii + 271 Indices.
-
The Drift Diffusion Equation and its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 258,82
EUR 7,42 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. xii + 271 95 Illus.
-
The Drift Diffusion Equation and its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 259,56
EUR 9,95 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. pp. xii + 271.
-
Drift-Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling (Computational Microelectronics)
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 302,09
EUR 28,53 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 53,49
EUR 23,00 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconductor devices. However, the tremendous speed in the development of the semiconductor industry demands numerical simulation tools that are efficient and provide reliable results. This makes the development of a simulation tool an interdisciplinary task in which physics, numerical algorithms, and device technology merge. For the sake of an efficient code there are trade-offs between the different influencing factors. The numerical performance of a program that is highly flexible in device types and the geometries it covers certainly cannot compare with a program that is optimized for one type of device only. Very often the device is sufficiently described by a two dimensional geometry. This is the case in a MOSFET, for example, if the gate length is small compared with the gate width. In these cases the geometry reduces to the specification of a two-dimensional device. Here again the simplest geometries, which are planar or at least rectangular surfaces, will give the most efficient numerical codes. The device engineer has to decide whether this reduced description of the real device is still suitable for his purposes. 288 pp. Englisch.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 77,29
EUR 7,42 per la spedizione da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Print on Demand pp. 288 95 Figures, 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in Mosfet Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsDa: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 78,30
EUR 9,95 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. PRINT ON DEMAND pp. 288.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsEUR 48,37
EUR 48,99 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconduct.
-
The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
Libro 6 di 17: Computational MicroelectronicsEditore: Springer, Springer Dez 2011, 2011
ISBN 10: 3709190975 ISBN 13: 9783709190975
Lingua: Inglese
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 53,49
EUR 60,00 per la spedizione da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconductor devices. However, the tremendous speed in the development of the semiconductor industry demands numerical simulation tools that are efficient and provide reliable results. This makes the development of a simulation tool an interdisciplinary task in which physics, numerical algorithms, and device technology merge. For the sake of an efficient code there are trade-offs between the different influencing factors. The numerical performance of a program that is highly flexible in device types and the geometries it covers certainly cannot compare with a program that is optimized for one type of device only. Very often the device is sufficiently described by a two dimensional geometry. This is the case in a MOSFET, for example, if the gate length is small compared with the gate width. In these cases the geometry reduces to the specification of a two-dimensional device. Here again the simplest geometries, which are planar or at least rectangular surfaces, will give the most efficient numerical codes. The device engineer has to decide whether this reduced description of the real device is still suitable for his purposes.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 288 pp. Englisch.
