Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Hardback or Cased Book. Condizione: New. The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems. Book.
Lingua: Inglese
Editore: Berlin ; Heidelberg : Springer, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Da: Kepler-Buchversand Huong Bach, Weil der Stadt, Germania
EUR 29,00
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Aggiungi al carrelloGr.-8°, gebundene Ausgabe. Condizione: Sehr gut. XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mechanism in Thin Oxides / of MOS Devices / Experimental Techniques / Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribution Determination / Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide / Index. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 315.
Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.
EUR 50,58
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Hardback or Cased Book. Condizione: New. The 2nd International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems. Book.
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Da: Buchpark, Trebbin, Germania
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Aggiungi al carrelloCondizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Condizione: New. pp. xiv + 106.
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
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Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 2011 edition. 117 pages. 9.25x6.10x0.28 inches. In Stock.
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
EUR 151,32
Quantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 104 pages. 9.00x6.25x0.75 inches. In Stock.
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
EUR 141,46
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Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
Da: preigu, Osnabrück, Germania
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures | Mobile Ions Effects on the Oxide Properties | Hamid Bentarzi | Taschenbuch | Engineering Materials | xiv | Englisch | 2013 | Springer | EAN 9783642266881 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg, 2013
ISBN 10: 3642266886 ISBN 13: 9783642266881
Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania
EUR 106,99
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Germania
EUR 106,99
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Aggiungi al carrelloBuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
Lingua: Inglese
Editore: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Lingua: Inglese
Editore: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno Unito
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Lingua: Inglese
Editore: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
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Lingua: Inglese
Editore: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.
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Lingua: Inglese
Editore: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno Unito
EUR 213,20
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