Prasad tripathi rajan (30 risultati)

Paperback. Condizione: Brand New. 56 pages. 8.66x5.91x0.13 inches. In Stock.

Taschenbuch. Condizione: Neu. Design of Low Leakage SRAM | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | 56 S. | Englisch | 2018 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786139907861 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …

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Taschenbuch. Condizione: Neu. Conception d'une SRAM à faible fuite | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | Französisch | 2023 | Editions Notre Savoir | EAN 9786205915264 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.…

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Taschenbuch. Condizione: Neu. Desenho de SRAM de Baixa Fuga | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | Portugiesisch | 2023 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786205915295 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. Progettazione di SRAM a bassa dispersione | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | Italienisch | 2023 | Edizioni Sapienza | EAN 9786205915288 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom | Rajan Prasad Tripathi (u. a.) | Taschenbuch | 56 S. | Deutsch | 2023 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786205915240 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-threshold current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block. 56 pp. Englisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La mayor parte de la investigación sobre el consumo de energía de los circuitos se ha centrado en la potencia de conmutación y la potencia disipada por la corriente de fuga ha sido el área relativamente menor. Sin embargo, en el proceso VLSI actual, la corriente de subumbral se convierte en uno de los principales factores del consumo de energía, especialmente en las memorias de gama alta. Para reducir la potencia de fuga en la SRAM, se puede aplicar el método de activación de potencia y una de las principales técnicas de activación de potencia es el uso de transistores de reposo para controlar la corriente subumbral. En este proyecto, se adoptan voltajes de umbral duales; las células SRAM normales tienen voltajes de umbral más bajos y los voltajes de umbral más altos controlan los transistores de reposo. El tamaño de los transistores sleep puede elegirse en función de la corriente del peor caso y se aplican a cada bloque. 52 pp. Spanisch.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Tripathi Rajan PrasadMr.Rajan Prasad Tripathi works as an Assistant Professor in Department of Electronics and Communication Engineering, Amity School of Engineering and Technology. Mr. Rahul Kumar Verma works an Assistant Professor .…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Kumar Verma RahulMr. Rahul Kumar Verman is an Assistant Professor in Department of Electronics and Communication, Amity School of Engineering and Technology. Dr. Punit Gupta is an Associate Professor at Manipal University Jaipur and .…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-threshold current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - A microstrip patch antenna has a conducting patch which is made of such metals as copper or gold and printed on a grounded dielectric substrate. These antennas are low profile, lightweight, easy fabrication, conformable to planar and non-planar surfaces compatible with MMIC design. A conventional microstrip patch antenna has the disadvantage of narrow bandwidth this poses a challenging task for the microstrip antenna designer to meet the broadband technique. The antennas for portable WLAN device require broadband, high gain, and compact design. As a result of these parameters, multiband antenna techniques have attracted more attention. Recently many new technologies have been proposed for multiband antenna design. In this work rectangular and an equal area, triangular patch antennas are designed and simulated. Overall comparison is made between the antennas.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La plupart des recherches sur la consommation d'énergie des circuits se sont concentrées sur la puissance de commutation et la puissance dissipée par le courant de fuite a été un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d'énergie, en particulier dans les mémoires haut de gamme. Pour réduire la puissance de fuite dans la SRAM, la méthode de gestion de la puissance peut être appliquée et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contrôler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adoptées ; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inférieures et les tensions de seuil supérieures contrôlent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut être choisie en fonction du courant le plus défavorable et est appliquée à chaque bloc. 56 pp. Französisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The most research on the power consumption of circuits has been concentrated on the switching power and the power dissipated by the leakage current has been the relatively minor area. However, in the current VLSI process, the sub-threshold current becomes one of the major factors of the power consumption, especially in high-end memory. To reduce the leakage power in the SRAM, the power gating method can be applied and a major technique of the power gating is using sleep transistors to control the sub-threshold current. In this project, dual threshold voltages are adopted; normal SRAM cells have lower threshold voltages and the higher threshold voltages control the sleep transistors. The size of sleep transistors can be chosen by the worst case current and are applied to every block.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Englisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - La mayor parte de la investigación sobre el consumo de energía de los circuitos se ha centrado en la potencia de conmutación y la potencia disipada por la corriente de fuga ha sido el área relativamente menor. Sin embargo, en el proceso VLSI actual, la corriente de subumbral se convierte en uno de los principales factores del consumo de energía, especialmente en las memorias de gama alta. Para reducir la potencia de fuga en la SRAM, se puede aplicar el método de activación de potencia y una de las principales técnicas de activación de potencia es el uso de transistores de reposo para controlar la corriente subumbral. En este proyecto, se adoptan voltajes de umbral duales; las células SRAM normales tienen voltajes de umbral más bajos y los voltajes de umbral más altos controlan los transistores de reposo. El tamaño de los transistores sleep puede elegirse en función de la corriente del peor caso y se aplican a cada bloque.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -La mayor parte de la investigación sobre el consumo de energía de los circuitos se ha centrado en la potencia de conmutación y la potencia disipada por la corriente de fuga ha sido el área relativamente menor. Sin embargo, en el proceso VLSI actual, la corriente de subumbral se convierte en uno de los principales factores del consumo de energía, especialmente en las memorias de gama alta. Para reducir la potencia de fuga en la SRAM, se puede aplicar el método de activación de potencia y una de las principales técnicas de activación de potencia es el uso de transistores de reposo para controlar la corriente subumbral. En este proyecto, se adoptan voltajes de umbral duales; las células SRAM normales tienen voltajes de umbral más bajos y los voltajes de umbral más altos controlan los transistores de reposo. El tamaño de los transistores sleep puede elegirse en función de la corriente del peor caso y se aplican a cada bloque.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 52 pp. Spanisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - La plupart des recherches sur la consommation d'énergie des circuits se sont concentrées sur la puissance de commutation et la puissance dissipée par le courant de fuite a été un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d'énergie, en particulier dans les mémoires haut de gamme. Pour réduire la puissance de fuite dans la SRAM, la méthode de gestion de la puissance peut être appliquée et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contrôler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adoptées ; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inférieures et les tensions de seuil supérieures contrôlent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut être choisie en fonction du courant le plus défavorable et est appliquée à chaque bloc.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si è concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione è stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, è possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale è l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep può essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco. 52 pp. Italienisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet. 56 pp. Deutsch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A maior parte da investigação sobre o consumo de energia dos circuitos tem-se concentrado na potência de comutação e a potência dissipada pela corrente de fuga tem sido a área relativamente menor. No entanto, no processo VLSI actual, a corrente de sub-limiar torna-se um dos principais factores do consumo de energia, especialmente na memória de ponta. Para reduzir a potência de fuga na SRAM, o método de alimentação pode ser aplicado e uma das principais técnicas de alimentação é a utilização de transístores de sono para controlar a corrente de sub-limiar. Neste projecto, são adoptadas tensões de limiar duplo; as células SRAM normais têm tensões de limiar mais baixas e as tensões de limiar mais altas controlam os transístores de sono. O tamanho dos transístores de sono pode ser escolhido pela corrente do pior caso e são aplicados a cada bloco. 52 pp. Portugiesisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -La plupart des recherches sur la consommation d'énergie des circuits se sont concentrées sur la puissance de commutation et la puissance dissipée par le courant de fuite a été un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d'énergie, en particulier dans les mémoires haut de gamme. Pour réduire la puissance de fuite dans la SRAM, la méthode de gestion de la puissance peut être appliquée et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contrôler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adoptées ; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inférieures et les tensions de seuil supérieures contrôlent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut être choisie en fonction du courant le plus défavorable et est appliquée à chaque bloc.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Französisch.…

Kartoniert / Broschiert. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Tripathi Rajan PrasadRajan Prasad Tripathi lavora come professore assistente presso il Dipartimento di Ingegneria elettronica e delle comunicazioni della Amity School of Engineering and Technology. Il sig. Rahul Kumar Verma lavora co.…

Kartoniert / Broschiert. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Tripathi Rajan PrasadHerr Rajan Prasad Tripathi arbeitet als Assistenzprofessor in der Abteilung fuer Elektronik und Kommunikationstechnik, Amity School of Engineering and Technology. Herr Rahul Kumar Verma arbeitet als Assistenzprofe.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - A maior parte da investigação sobre o consumo de energia dos circuitos tem-se concentrado na potência de comutação e a potência dissipada pela corrente de fuga tem sido a área relativamente menor. No entanto, no processo VLSI actual, a corrente de sub-limiar torna-se um dos principais factores do consumo de energia, especialmente na memória de ponta. Para reduzir a potência de fuga na SRAM, o método de alimentação pode ser aplicado e uma das principais técnicas de alimentação é a utilização de transístores de sono para controlar a corrente de sub-limiar. Neste projecto, são adoptadas tensões de limiar duplo; as células SRAM normais têm tensões de limiar mais baixas e as tensões de limiar mais altas controlam os transístores de sono. O tamanho dos transístores de sono pode ser escolhido pela corrente do pior caso e são aplicados a cada bloco.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 56 pp. Deutsch. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -A maior parte da investigação sobre o consumo de energia dos circuitos tem-se concentrado na potência de comutação e a potência dissipada pela corrente de fuga tem sido a área relativamente menor. No entanto, no processo VLSI actual, a corrente de sub-limiar torna-se um dos principais factores do consumo de energia, especialmente na memória de ponta. Para reduzir a potência de fuga na SRAM, o método de alimentação pode ser aplicado e uma das principais técnicas de alimentação é a utilização de transístores de sono para controlar a corrente de sub-limiar. Neste projecto, são adoptadas tensões de limiar duplo; as células SRAM normais têm tensões de limiar mais baixas e as tensões de limiar mais altas controlam os transístores de sono. O tamanho dos transístores de sono pode ser escolhido pela corrente do pior caso e são aplicados a cada bloco.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 52 pp. Portugiesisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si è concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione è stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, è possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale è l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep può essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 52 pp. Italienisch. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet. …