9783540202158 - electronic properties of semiconductor interfaces: 43 di monch, winfried (19 risultati)
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Editore: Springer 14 J, 2004
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Hardcover. Condizione: Very Good. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces: 43 (Springer Series in Surface Sciences, 43) This book is in very good condition and will be shipped within 24 hours of ordering. The cover may have some limited signs of wear but the pages are clean, intact and the spine remains undamaged. This… book has clearly been well maintained and looked after thus far. Money back guarantee if you are not satisfied. See all our books here, order more than 1 book and get discounted shipping. .
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Editore: Berlin, Springer, 2004
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Editore: Springer-Verlag, Berlin, 2004
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Condizione: Very Good+. Hardcover, [xi], 263 pages. Very Good+ condition. Size 9.5"x6.5". "Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which… overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively." Book has light exterior shelfwear, else Fine condition, clean and unmarked.
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Editore: Springer, New York, 2004
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Condizione: Very Good. Condizione sovraccoperta: No dustjacket, as published. 8vo pp. 275, as new, still in shrink wrap, "Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, MÃ nch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function… tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the. book.
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Editore: Springer, 2004
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Editore: Springer, 2004
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Editore: Springer, 2004
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Editore: Springer, 2004
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Editore: Springer, 2004
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Editore: Springer, Springer Vieweg, 2004
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monograph that t…reats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.
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Gebunden. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Basic standard bookImportant with respect to semiconductor structuresUsing the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Moench explains the band-structure lineup at all types o…f semiconductor interfaces. The.
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Editore: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Jan 2004, 2004
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Buch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first…monograph that treats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively. 280 pp. Englisch.
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Editore: Springer, Springer Vieweg Jan 2004, 2004
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Buch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first mono…graph that treats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface¿induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling¿s electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 280 pp. Englisch.
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