Importo totale (1 articolo articoli):
Destinazione ordine:
modeling nanowire double gate junctionless di jazaeri farzan (21 risultati)
Feedback
Vai alla pagina principale dei risultati di ricerca
Filtri di ricerca
Tipo di articolo
- Tutti i tipi di prodotto
- Libri (21)
- Riviste e Giornali (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fumetti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Spartiti (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Arte, Stampe e Poster (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Fotografie (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Mappe (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Manoscritti e Collezionismo cartaceo (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Condizioni
Legatura
- Tutte
- Rilegato (21)
- Brossura (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
Ulteriori caratteristiche
- Prima ed. (1)
- Copia autograf. (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Sovracoperta (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Con foto (Nessun altro risultato corrispondente a questo perfezionamento)
- Non Print on Demand (21)
Lingua (1)
Spedizione gratuita
Paese del venditore
Valutazione venditore
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Prior Books Ltd, Cheltenham, Regno Unito
Membro dell'associazione: ABA ILAB PBFA
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
Prima edizione
EUR 9,16
Convertire valutaEUR 14,29 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 4 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Like New. First Edition. Firm, square and tight with sharp corners and sturdy hinges, just showing a few minor bumps and some mild cosmetic wear. Hence a non-text page is stamped 'damaged'. Despite such this book is in nearly new condition. Thus the contents are crisp, fresh and clean. Offered for sale at a very sensible price.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: AMM Books, Gillingham, KENT, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 30,66
Convertire valutaEUR 10,71 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Very Good. Unread. In stock ready to dispatch from the UK.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Academybookshop, Long Island City, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 3 su 5 stelle
EUR 12,85
Convertire valutaEUR 39,47 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: As New. In fine, clean condition, with a remainder mark on the edge of the book, never-read, clean pages.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Academybookshop, Long Island City, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 3 su 5 stelle
EUR 12,85
Convertire valutaEUR 39,47 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Good. In fine, clean condition, with a remainder mark on the edge of the book and a TEAR on the cover, never-read,clean pages.
-
MODELING NANOWIRE AND DOUBLE-GATE JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 84,89
Convertire valutaGratis per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
-
MODELING NANOWIRE AND DOUBLE-GATE JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Basi6 International, Irving, TX, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 84,89
Convertire valutaGratis per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 3 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: AMM Books, Gillingham, KENT, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 77,85
Convertire valutaEUR 10,71 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: New. In stock ready to dispatch from the UK.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press CUP, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 88,53
Convertire valutaEUR 7,90 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 99,13
Convertire valutaGratis per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 99,13
Convertire valutaGratis per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Labyrinth Books, Princeton, NJ, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 78,67
Convertire valutaEUR 22,83 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: Very Good.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 92,65
Convertire valutaEUR 7,95 per la spedizione da Germania a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New.
-
MODELING NANOWIRE AND DOUBLE-GATE JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 129,12
Convertire valutaGratis per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 5 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: PBShop.store US, Wood Dale, IL, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 152,90
Convertire valutaEUR 1,24 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 15 disponibili
Aggiungi al carrelloHRD. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 149,56
Convertire valutaEUR 6,27 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 15 disponibili
Aggiungi al carrelloHRD. Condizione: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno Unito
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 153,36
Convertire valutaEUR 29,78 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: New. New. book.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Editore: Cambridge University Press, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 178,51
Convertire valutaEUR 11,99 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloHardback. Condizione: New. New copy - Usually dispatched within 4 working days. 698.
-
Modeling Nanowire and Double-gate Junctionless Field-effect Transistors
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 181,44
Convertire valutaEUR 11,91 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: Brand New. 233 pages. 10.00x7.00x0.25 inches. In Stock.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (Hardcover)
Editore: Cambridge University Press, Cambridge, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: CitiRetail, Stevenage, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 176,66
Convertire valutaEUR 35,73 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: new. Hardcover. The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field. The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (Hardcover)
Editore: Cambridge University Press, Cambridge, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: Grand Eagle Retail, Fairfield, OH, U.S.A.
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 186,71
Convertire valutaEUR 65,86 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: new. Hardcover. The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field. The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
-
Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (Hardcover)
Editore: Cambridge University Press, Cambridge, 2018
ISBN 10: 1107162041 ISBN 13: 9781107162044
Lingua: Inglese
Da: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australia
Valutazione del venditore 3 su 5 stelle
EUR 268,75
Convertire valutaEUR 32,49 per la spedizione da Australia a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloHardcover. Condizione: new. Hardcover. The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field. The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability.
