Demkov (136 risultati)
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Editore: New York/Heidelberg/Dordrecht, Springer., 2014
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24 cm. X, 278 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
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Editore: Macmillan Company, NY, 1963
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Da: Dorley House Books, Inc., Hagerstown, MD, U.S.A.Dorley House Books, Inc.
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Editore: Springer, 2014
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2016
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Condizione: Muy bueno. : Este libro trata sobre la integración de óxidos funcionales con semiconductores. Cubre temas como los semiconductores de óxido metálico, la epitaxia y el recubrimiento de óxido. Publicado por Springer New York en 2016, el libro tiene 278 páginas y está escrito en inglés. EAN: 9781493941698 Tipo: Libros C…ategoría: Tecnología|Ciencias Título: Integration of Functional Oxides with Semiconductors Autor: Alexander A. Demkov| Agham B. Posadas Editorial: Springer New York Idioma: en Páginas: 278.
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Paperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 296 pages. 10.00x7.00x0.68 inches. In Stock.
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Editore: Springer, 2016
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Editore: Springer, 2014
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Editore: Springer, 2014
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Editore: Springer, 2014
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Editore: Springer, 2014
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Condizione: Used. pp. 290.
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Da: Majestic Books, Hounslow, Regno UnitoMajestic Books
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Condizione: New. pp. 296.
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 53,05
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective,… the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.
Butterbaugh, J. (EDT); Demkov, a (EDT); Harris, R. (EDT); Rachmady, W. (EDT); Taylor, B. (EDT)
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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EUR 123,17
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Da: California Books, Miami, FL, U.S.A.California Books
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EUR 125,53
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Condizione: New.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2014
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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Da: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Regno UnitoGreatBookPricesUK
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EUR 116,67
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EUR 132,26
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