Massimo rudan (55 risultati)
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Condizione: New. pp. 672 Softcover reprint of the original 1st ed. 2015 edition NO-PA16APR2015-KAP.
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hardcover. Condizione: Sehr gut. 968 Seiten; 9783319631530.2 Gewicht in Gramm: 500.
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Da: moluna, Greven, Germaniamoluna
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Physics of Semiconductor Devices | Massimo Rudan | Taschenbuch | xxiii | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9781493946990 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Paperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 672 pages. 9.25x6.10x1.97 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physics…, while keeping the internal coherence of the concepts and explaining various levels of approximation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS). The final chapters aredevoted to the description of some basic fabrication steps, and to measuring methods for the semiconductor-device parameters.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Physics of Semiconductor Devices | Massimo Rudan | Taschenbuch | xlviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9783319874869 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Lingua: Inglese
Editore: Springer International Publishing, Springer Aug 2018, 2018
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal…coherence of the analysis and explaining the different levels of approximation. Coverage includes the main steps used in the fabrication process of integrated circuits: diffusion, thermal oxidation, epitaxy, and ion implantation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS, CMOS), including a number of solid-state sensors. The final chapters are devoted to the measuring methods for semiconductor-device parameters, and to a brief illustration of the scaling rules and numerical methods applied to the design of semiconductor devices.
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical c…oncepts, while keeping the internal coherence of the analysis and explaining the different levels of approximation. Coverage includes the main steps used in the fabrication process of integrated circuits: diffusion, thermal oxidation, epitaxy, and ion implantation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS, CMOS), including a number of solid-state sensors. The final chapters are devoted to the measuring methods for semiconductor-device parameters, and to a brief illustration of the scaling rules and numerical methods applied to the design of semiconductor devices.
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Da: BUCHSERVICE / ANTIQUARIAT Lars Lutzer, Wahlstedt, GermaniaBUCHSERVICE / ANTIQUARIAT Lars Lutzer
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Serie: Springer Handbooks, Libro 39 di 45. Libro 39 di 45 - Springer Handbooks
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