Rudan massimo (51 risultati)
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Physics of Semiconductor Devices | Massimo Rudan | Taschenbuch | xxiii | Englisch | 2016 | Springer Nature B.V. | EAN 9781493946990 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physics…, while keeping the internal coherence of the concepts and explaining various levels of approximation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS). The final chapters aredevoted to the description of some basic fabrication steps, and to measuring methods for the semiconductor-device parameters.
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Physics of Semiconductor Devices | Massimo Rudan | Taschenbuch | xlviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9783319874869 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer International Publishing, Springer Aug 2018, 2018
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Neuware - This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal…coherence of the analysis and explaining the different levels of approximation. Coverage includes the main steps used in the fabrication process of integrated circuits: diffusion, thermal oxidation, epitaxy, and ion implantation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS, CMOS), including a number of solid-state sensors. The final chapters are devoted to the measuring methods for semiconductor-device parameters, and to a brief illustration of the scaling rules and numerical methods applied to the design of semiconductor devices.
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical c…oncepts, while keeping the internal coherence of the analysis and explaining the different levels of approximation. Coverage includes the main steps used in the fabrication process of integrated circuits: diffusion, thermal oxidation, epitaxy, and ion implantation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS, CMOS), including a number of solid-state sensors. The final chapters are devoted to the measuring methods for semiconductor-device parameters, and to a brief illustration of the scaling rules and numerical methods applied to the design of semiconductor devices.
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Editore: Springer, 2022
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Editore: Springer, 2022
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Editore: Springer, 2022
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Springer Handbook of Semiconductor Devices
Rudan, Massimo (EDT); Brunetti, Rossella (EDT); Reggiani, Susanna (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2022
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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Lingua: Inglese
Editore: Springer Nature Switzerland AG, Cham, 2022
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Da: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, U.S.A.Grand Eagle Retail
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Hardcover. Condizione: new. Hardcover. This Springer Handbook comprehensively covers the topic of semiconductor devices, embracing all aspects from theoretical background to fabrication, modeling, and applications.Nearly 100 leading scientists from industry and academia were selected to write the handbook's chapters, which were…conceived for professionals and practitioners, material scientists, physicists and electrical engineers working at universities, industrial R&D, and manufacturers.Starting from the description of the relevant technological aspects and fabrication steps, the handbook proceeds with a section fully devoted to the main conventional semiconductor devices like, e.g., bipolar transistors and MOS capacitors and transistors, used in the production of the standard integrated circuits, and the corresponding physical models. In the subsequent chapters, the scaling issues of the semiconductor-device technology are addressed, followed by the description of novel concept-based semiconductor devices. The last section illustrates the numerical simulation methods ranging from the fabrication processes to the device performances.Each chapter is self-contained, and refers to related topics treated in other chapters when necessary, so that the reader interested in a specific subject can easily identify a personal reading path through the vast contents of the handbook. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2022
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Da: Biblios, frankfurt am main, HESSE, GermaniaBiblios
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Springer Handbook of Semiconductor Devices
Rudan, Massimo (EDT); Brunetti, Rossella (EDT); Reggiani, Susanna (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2022
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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Springer Handbook of Semiconductor Devices
Rudan, Massimo (Edited by)/ Brunetti, Rossella (Edited by)/ Reggiani, Susanna (Edited by)
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2022
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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Hardcover. Condizione: Brand New. 1703 pages. 10.98x8.26x2.95 inches. In Stock.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2022
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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Hardcover. Condizione: Sehr gut. Gebraucht - Sehr gut SG - leichte Beschädigungen oder Verschmutzungen, ungelesenes Mängelexemplar, gestempelt - This Springer Handbook comprehensively covers the topic of semiconductor devices, embracing all aspects from theoretical background to fabrication, modeling, and applications.Nearly 100… leading scientists from industry and academia were selected to write the handbook's chapters, which were conceived for professionals and practitioners, material scientists, physicists and electrical engineers working at universities, industrial R&D, and manufacturers.Starting from the description of the relevant technological aspects and fabrication steps, the handbook proceeds with a section fully devoted to the main conventional semiconductor devices like, e.g., bipolar transistors and MOS capacitors and transistors, used in the production of the standard integrated circuits, and the corresponding physical models. In the subsequent chapters, the scaling issues of the semiconductor-device technology are addressed, followed by the description of novel concept-based semiconductor devices. The last section illustrates the numerical simulation methods ranging from the fabrication processes to the device performances.Each chapter is self-contained, and refers to related topics treated in other chapters when necessary, so that the reader interested in a specific subject can easily identify a personal reading path through the vast contents of the handbook.
