Pandiaraj k (33 risultati)

Taschenbuch. Condizione: Neu. OPTIMIZATION OF THERMAL AWARE MULTILEVEL ROUTING FOR 3D IC | VLSI PHYSICAL DESIGN | Pandiaraj K | Taschenbuch | Englisch | 2022 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786204741314 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu. …

Condizione: New.

Taschenbuch. Condizione: Neu. OPTIMISATION DU ROUTAGE MULTINIVEAU SENSIBLE À LA CHALEUR POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS 3D | CONCEPTION PHYSIQUE VLSI | Pandiaraj K | Taschenbuch | Französisch | 2022 | Editions Notre Savoir | EAN 9786204612638 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. OPTIMIZACIYa MNOGOUROVNEVOJ MARShRUTIZACII S UChETOM TEPLOVOGO REZhIMA DLYa 3D IK | FIZIChESKOE PROEKTIROVANIE VLSI | Pandiaraj K | Taschenbuch | Russisch | 2022 | Sciencia Scripts | EAN 9786204612720 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. OTTIMIZZAZIONE DELL'INSTRADAMENTO MULTILIVELLO CONSAPEVOLE DEL CALORE PER IC 3D | PROGETTAZIONE FISICA VLSI | Pandiaraj K | Taschenbuch | Italienisch | 2022 | Edizioni Sapienza | EAN 9786204612645 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu. …

Taschenbuch. Condizione: Neu. OTIMIZAÇÃO DO ROTEAMENTO DE MULTINÍVEIS COM CONSCIÊNCIA TÉRMICA PARA IC 3D | DESIGN FÍSICO VLSI | Pandiaraj K | Taschenbuch | Portugiesisch | 2022 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786204612713 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. OPTIMIERUNG DES THERMISCH BEWUSSTEN MEHRSTUFIGEN ROUTING FÜR 3D IC | VLSI-PHYSIKALISCHER ENTWURF | Pandiaraj K | Taschenbuch | 212 S. | Deutsch | 2022 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786204612614 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Very Large Scale Integration (VLSI) is a process of creating an integrated circuit by linking a large number of transistors into a single chip. A 3D IC provides a positive effect on both execution and wirelength in a power system. A three dimensional integrated circuit would become a developing process where connection delays and power get reduced. The several layers of 3D IC which have been linked could be performed by utilizing through silicon via method. It offers better performance than the conventional approach due to decreased length and power consumption. A test access mechanism technique has become significant owing to the impact of sinking routing cost. If a large number of TSV has been employed, then it leads to superior area consumption and increases ultimate chip cost. Uneven distribution of TSV is occurred owing to the bonding stratum procedure. It affects not only the area but also wirelength and temperature. At the routing phase, through silicon via could be done by identifying whitespace from integrated circuit system. 188 pp. Englisch.…

Kartoniert / Broschiert. Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Very Large Scale Integration (VLSI) is a process of creating an integrated circuit by linking a large number of transistors into a single chip. A 3D IC provides a positive effect on both execution and wirelength in a power system. A three dimensional integr.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Very Large Scale Integration (VLSI) is a process of creating an integrated circuit by linking a large number of transistors into a single chip. A 3D IC provides a positive effect on both execution and wirelength in a power system. A three dimensional integrated circuit would become a developing process where connection delays and power get reduced. The several layers of 3D IC which have been linked could be performed by utilizing through silicon via method. It offers better performance than the conventional approach due to decreased length and power consumption. A test access mechanism technique has become significant owing to the impact of sinking routing cost. If a large number of TSV has been employed, then it leads to superior area consumption and increases ultimate chip cost. Uneven distribution of TSV is occurred owing to the bonding stratum procedure. It affects not only the area but also wirelength and temperature. At the routing phase, through silicon via could be done by identifying whitespace from integrated circuit system.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Very Large Scale Integration (VLSI) is a process of creating an integrated circuit by linking a large number of transistors into a single chip. A 3D IC provides a positive effect on both execution and wirelength in a power system. A three dimensional integrated circuit would become a developing process where connection delays and power get reduced. The several layers of 3D IC which have been linked could be performed by utilizing through silicon via method. It offers better performance than the conventional approach due to decreased length and power consumption. A test access mechanism technique has become significant owing to the impact of sinking routing cost. If a large number of TSV has been employed, then it leads to superior area consumption and increases ultimate chip cost. Uneven distribution of TSV is occurred owing to the bonding stratum procedure. It affects not only the area but also wirelength and temperature. At the routing phase, through silicon via could be done by identifying whitespace from integrated circuit system.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 188 pp. Englisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Ochen' krupnomasshtabnaq integraciq (VLSI) - äto process sozdaniq integral'noj shemy putem soedineniq bol'shogo kolichestwa tranzistorow w odnom kristalle. Trehmernaq IS obespechiwaet polozhitel'noe wliqnie kak na ispolnenie, tak i na dlinu prowodow w sisteme pitaniq. Trehmernaq integral'naq shema stanet razwiwaüschimsq processom, w kotorom umen'shatsq zaderzhki pri podklüchenii i moschnost'. Soedinenie neskol'kih sloew trehmernoj IS mozhet byt' wypolneno s pomosch'ü metoda skwoznogo kremniewogo soedineniq. On obespechiwaet luchshuü proizwoditel'nost', chem tradicionnyj podhod, blagodarq umen'sheniü dliny i änergopotrebleniq. Tehnika mehanizma testowogo dostupa priobrela bol'shoe znachenie iz-za wliqniq snizheniq stoimosti marshrutizacii. Esli ispol'zuetsq bol'shoe kolichestwo TSV, to äto priwodit k powyshennomu potrebleniü ploschadi i uwelichiwaet konechnuü stoimost' chipa. Nerawnomernoe raspredelenie TSV proishodit iz-za procedury skleiwaniq sloew. Jeto wliqet ne tol'ko na ploschad', no i na dlinu prowodow i temperaturu. Na ätape marshrutizacii skwoznye kremniewye prohody mogut byt' wypolneny putem wyqwleniq probelow w sisteme integral'nyh shem. 220 pp. Russisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La integración a muy gran escala (VLSI) es un proceso de creación de un circuito integrado mediante la unión de un gran número de transistores en un solo chip. Un circuito integrado tridimensional tiene un efecto positivo tanto en la ejecución como en la longitud de los cables en un sistema de alimentación. Un circuito integrado tridimensional se convertiría en un proceso de desarrollo en el que se reducen los retrasos de conexión y la potencia. Las diversas capas del CI 3D que se han unido podrían realizarse utilizando el método de la vía de silicio. Ofrece un mejor rendimiento que el enfoque convencional debido a la disminución de la longitud y el consumo de energía. Una técnica de mecanismo de acceso de prueba se ha vuelto significativa debido al impacto del coste de enrutamiento de hundimiento. Si se emplea un gran número de TSV, se produce un mayor consumo de área y aumenta el coste final del chip. La distribución desigual de los TSV se produce debido al procedimiento de unión de estratos. Esto afecta no sólo al área, sino también a la longitud del cable y a la temperatura. En la fase de enrutamiento, las vías de silicio pueden realizarse identificando los espacios en blanco del sistema de circuitos integrados. 204 pp. Spanisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - La integración a muy gran escala (VLSI) es un proceso de creación de un circuito integrado mediante la unión de un gran número de transistores en un solo chip. Un circuito integrado tridimensional tiene un efecto positivo tanto en la ejecución como en la longitud de los cables en un sistema de alimentación. Un circuito integrado tridimensional se convertiría en un proceso de desarrollo en el que se reducen los retrasos de conexión y la potencia. Las diversas capas del CI 3D que se han unido podrían realizarse utilizando el método de la vía de silicio. Ofrece un mejor rendimiento que el enfoque convencional debido a la disminución de la longitud y el consumo de energía. Una técnica de mecanismo de acceso de prueba se ha vuelto significativa debido al impacto del coste de enrutamiento de hundimiento. Si se emplea un gran número de TSV, se produce un mayor consumo de área y aumenta el coste final del chip. La distribución desigual de los TSV se produce debido al procedimiento de unión de estratos. Esto afecta no sólo al área, sino también a la longitud del cable y a la temperatura. En la fase de enrutamiento, las vías de silicio pueden realizarse identificando los espacios en blanco del sistema de circuitos integrados.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -La integración a muy gran escala (VLSI) es un proceso de creación de un circuito integrado mediante la unión de un gran número de transistores en un solo chip. Un circuito integrado tridimensional tiene un efecto positivo tanto en la ejecución como en la longitud de los cables en un sistema de alimentación. Un circuito integrado tridimensional se convertiría en un proceso de desarrollo en el que se reducen los retrasos de conexión y la potencia. Las diversas capas del CI 3D que se han unido podrían realizarse utilizando el método de la vía de silicio. Ofrece un mejor rendimiento que el enfoque convencional debido a la disminución de la longitud y el consumo de energía. Una técnica de mecanismo de acceso de prueba se ha vuelto significativa debido al impacto del coste de enrutamiento de hundimiento. Si se emplea un gran número de TSV, se produce un mayor consumo de área y aumenta el coste final del chip. La distribución desigual de los TSV se produce debido al procedimiento de unión de estratos. Esto afecta no sólo al área, sino también a la longitud del cable y a la temperatura. En la fase de enrutamiento, las vías de silicio pueden realizarse identificando los espacios en blanco del sistema de circuitos integrados.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 204 pp. Spanisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -L'intégration à très grande échelle (VLSI) est un processus qui consiste à créer un circuit intégré en reliant un grand nombre de transistors sur une seule puce. Un circuit intégré tridimensionnel a un effet positif sur l'exécution et la longueur des fils dans un système d'alimentation. Un circuit intégré tridimensionnel devient un processus de développement où les délais de connexion et la puissance sont réduits. Les différentes couches du CI 3D qui ont été reliées pourraient être réalisées en utilisant la méthode du via en silicium. Elle offre de meilleures performances que l'approche conventionnelle en raison de la réduction de la longueur et de la consommation d'énergie. Une technique de mécanisme d'accès de test est devenue importante en raison de l'impact du coût de routage. Si un grand nombre de TSV est utilisé, cela entraîne une consommation de surface supérieure et augmente le coût final de la puce. La distribution inégale des TSV est due à la procédure de collage des strates. Elle affecte non seulement la surface mais aussi la longueur des fils et la température. Lors de la phase de routage, les via à travers le silicium peuvent être réalisés en identifiant les espaces blancs du système de circuit intégré. 208 pp. Französisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Ochen' krupnomasshtabnaq integraciq (VLSI) - äto process sozdaniq integral'noj shemy putem soedineniq bol'shogo kolichestwa tranzistorow w odnom kristalle. Trehmernaq IS obespechiwaet polozhitel'noe wliqnie kak na ispolnenie, tak i na dlinu prowodow w sisteme pitaniq. Trehmernaq integral'naq shema stanet razwiwaüschimsq processom, w kotorom umen'shatsq zaderzhki pri podklüchenii i moschnost'. Soedinenie neskol'kih sloew trehmernoj IS mozhet byt' wypolneno s pomosch'ü metoda skwoznogo kremniewogo soedineniq. On obespechiwaet luchshuü proizwoditel'nost', chem tradicionnyj podhod, blagodarq umen'sheniü dliny i änergopotrebleniq. Tehnika mehanizma testowogo dostupa priobrela bol'shoe znachenie iz-za wliqniq snizheniq stoimosti marshrutizacii. Esli ispol'zuetsq bol'shoe kolichestwo TSV, to äto priwodit k powyshennomu potrebleniü ploschadi i uwelichiwaet konechnuü stoimost' chipa. Nerawnomernoe raspredelenie TSV proishodit iz-za procedury skleiwaniq sloew. Jeto wliqet ne tol'ko na ploschad', no i na dlinu prowodow i temperaturu. Na ätape marshrutizacii skwoznye kremniewye prohody mogut byt' wypolneny putem wyqwleniq probelow w sisteme integral'nyh shem.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - L'intégration à très grande échelle (VLSI) est un processus qui consiste à créer un circuit intégré en reliant un grand nombre de transistors sur une seule puce. Un circuit intégré tridimensionnel a un effet positif sur l'exécution et la longueur des fils dans un système d'alimentation. Un circuit intégré tridimensionnel devient un processus de développement où les délais de connexion et la puissance sont réduits. Les différentes couches du CI 3D qui ont été reliées pourraient être réalisées en utilisant la méthode du via en silicium. Elle offre de meilleures performances que l'approche conventionnelle en raison de la réduction de la longueur et de la consommation d'énergie. Une technique de mécanisme d'accès de test est devenue importante en raison de l'impact du coût de routage. Si un grand nombre de TSV est utilisé, cela entraîne une consommation de surface supérieure et augmente le coût final de la puce. La distribution inégale des TSV est due à la procédure de collage des strates. Elle affecte non seulement la surface mais aussi la longueur des fils et la température. Lors de la phase de routage, les via à travers le silicium peuvent être réalisés en identifiant les espaces blancs du système de circuit intégré.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -L'intégration à très grande échelle (VLSI) est un processus qui consiste à créer un circuit intégré en reliant un grand nombre de transistors sur une seule puce. Un circuit intégré tridimensionnel a un effet positif sur l'exécution et la longueur des fils dans un système d'alimentation. Un circuit intégré tridimensionnel devient un processus de développement où les délais de connexion et la puissance sont réduits. Les différentes couches du CI 3D qui ont été reliées pourraient être réalisées en utilisant la méthode du via en silicium. Elle offre de meilleures performances que l'approche conventionnelle en raison de la réduction de la longueur et de la consommation d'énergie. Une technique de mécanisme d'accès de test est devenue importante en raison de l'impact du coût de routage. Si un grand nombre de TSV est utilisé, cela entraîne une consommation de surface supérieure et augmente le coût final de la puce. La distribution inégale des TSV est due à la procédure de collage des strates. Elle affecte non seulement la surface mais aussi la longueur des fils et la température. Lors de la phase de routage, les via à travers le silicium peuvent être réalisés en identifiant les espaces blancs du système de circuit intégré.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 208 pp. Französisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Ochen' krupnomasshtabnaq integraciq (VLSI) - äto process sozdaniq integral'noj shemy putem soedineniq bol'shogo kolichestwa tranzistorow w odnom kristalle. Trehmernaq IS obespechiwaet polozhitel'noe wliqnie kak na ispolnenie, tak i na dlinu prowodow w sisteme pitaniq. Trehmernaq integral'naq shema stanet razwiwaüschimsq processom, w kotorom umen'shatsq zaderzhki pri podklüchenii i moschnost'. Soedinenie neskol'kih sloew trehmernoj IS mozhet byt' wypolneno s pomosch'ü metoda skwoznogo kremniewogo soedineniq. On obespechiwaet luchshuü proizwoditel'nost', chem tradicionnyj podhod, blagodarq umen'sheniü dliny i änergopotrebleniq. Tehnika mehanizma testowogo dostupa priobrela bol'shoe znachenie iz-za wliqniq snizheniq stoimosti marshrutizacii. Esli ispol'zuetsq bol'shoe kolichestwo TSV, to äto priwodit k powyshennomu potrebleniü ploschadi i uwelichiwaet konechnuü stoimost' chipa. Nerawnomernoe raspredelenie TSV proishodit iz-za procedury skleiwaniq sloew. Jeto wliqet ne tol'ko na ploschad', no i na dlinu prowodow i temperaturu. Na ätape marshrutizacii skwoznye kremniewye prohody mogut byt' wypolneny putem wyqwleniq probelow w sisteme integral'nyh shem.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 220 pp. Russisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Very Large Scale Integration (VLSI) è un processo di creazione di un circuito integrato collegando un gran numero di transistor in un singolo chip. Un IC 3D fornisce un effetto positivo sia sull'esecuzione che sulla lunghezza dei fili in un sistema di alimentazione. Un circuito integrato tridimensionale diventerebbe un processo di sviluppo in cui i ritardi di connessione e la potenza si riducono. I diversi strati del circuito integrato 3D che sono stati collegati potrebbero essere eseguiti utilizzando il metodo via silicio. Offre prestazioni migliori rispetto all'approccio convenzionale a causa della diminuzione della lunghezza e del consumo di energia. Una tecnica di meccanismo di accesso di prova è diventata significativa a causa dell'impatto del costo di routing di affondamento. Se un gran numero di TSV è stato impiegato, allora porta a un consumo di area superiore e aumenta il costo finale del chip. La distribuzione non uniforme dei TSV si verifica a causa della procedura di bonding stratum. Ciò influenza non solo l'area ma anche la lunghezza del filo e la temperatura. Nella fase di instradamento, il passaggio attraverso il silicio potrebbe essere fatto identificando lo spazio bianco dal sistema del circuito integrato. 200 pp. Italienisch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine große Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefügt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausführung als auch auf die Kabellänge in einem Stromversorgungssystem positiv aus. Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis wird zu einem Entwicklungsprozess, bei dem Verbindungsverzögerungen und Stromverbrauch reduziert werden. Die verschiedenen Schichten des 3D-IC, die miteinander verbunden sind, können durch die Verwendung der Silizium-Via-Methode hergestellt werden. Sie bietet aufgrund der geringeren Länge und des geringeren Stromverbrauchs eine bessere Leistung als der herkömmliche Ansatz. Ein Testzugriffsverfahren ist aufgrund der Auswirkungen der sinkenden Routingkosten von Bedeutung. Wenn eine große Anzahl von TSVs verwendet wird, führt dies zu einem höheren Flächenverbrauch und erhöht die endgültigen Chipkosten. Die ungleichmäßige Verteilung der TSV wird durch das Bonding-Stratum-Verfahren verursacht. Dies wirkt sich nicht nur auf die Fläche, sondern auch auf die Drahtlänge und die Temperatur aus. In der Routing-Phase könnten die Siliziumdurchkontaktierungen durch die Identifizierung von Leerräumen im integrierten Schaltkreissystem erfolgen. 212 pp. Deutsch.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A Integração em Muito Grande Escala (VLSI) é um processo de criação de um circuito integrado através da ligação de um grande número de transístores num único chip. Um IC 3D proporciona um efeito positivo tanto na execução como no comprimento do fio em um sistema de energia. Um circuito integrado tridimensional se tornaria um processo em desenvolvimento onde os atrasos de conexão e a energia são reduzidos. As várias camadas de CI 3D que foram ligadas poderiam ser realizadas utilizando silício através do método. Ele oferece melhor desempenho do que a abordagem convencional, devido à diminuição do comprimento e do consumo de energia. Uma técnica de mecanismo de acesso de teste se tornou significativa devido ao impacto do custo de roteamento do afundamento. Se um grande número de TSV foi empregado, então ele leva a um consumo de área superior e aumenta o custo final do chip. A distribuição desigual do TSV ocorre devido ao procedimento do estrato de ligação. Ele afeta não apenas a área, mas também o comprimento do fio e a temperatura. Na fase de encaminhamento, através do silício via poderia ser feito identificando o espaço em branco a partir do sistema de circuitos integrados. 204 pp. Portugiesisch.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. &Uumlber den AutorrnrnDr. K. PANDIARAJ wurde im Mai 1985 in Muhavoor, Tamil Nadu, Indien, geboren. Im Jahr 2006 erwarb er einen B.E. in Elektronik und Kommunikationstechnik an der Anna University, Chennai, 2008 einen M.Tech in VLSI DESIGN an de.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. &Uumlber den AutorrnrnDr. K. PANDIARAJ wurde im Mai 1985 in Muhavoor, Tamil Nadu, Indien, geboren. Im Jahr 2006 erwarb er einen B.E. in Elektronik und Kommunikationstechnik an der Anna University, Chennai, 2008 einen M.Tech in VLSI DESIGN an de.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Very Large Scale Integration (VLSI) è un processo di creazione di un circuito integrato collegando un gran numero di transistor in un singolo chip. Un IC 3D fornisce un effetto positivo sia sull'esecuzione che sulla lunghezza dei fili in un sistema di alimentazione. Un circuito integrato tridimensionale diventerebbe un processo di sviluppo in cui i ritardi di connessione e la potenza si riducono. I diversi strati del circuito integrato 3D che sono stati collegati potrebbero essere eseguiti utilizzando il metodo via silicio. Offre prestazioni migliori rispetto all'approccio convenzionale a causa della diminuzione della lunghezza e del consumo di energia. Una tecnica di meccanismo di accesso di prova è diventata significativa a causa dell'impatto del costo di routing di affondamento. Se un gran numero di TSV è stato impiegato, allora porta a un consumo di area superiore e aumenta il costo finale del chip. La distribuzione non uniforme dei TSV si verifica a causa della procedura di bonding stratum. Ciò influenza non solo l'area ma anche la lunghezza del filo e la temperatura. Nella fase di instradamento, il passaggio attraverso il silicio potrebbe essere fatto identificando lo spazio bianco dal sistema del circuito integrato.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - A Integração em Muito Grande Escala (VLSI) é um processo de criação de um circuito integrado através da ligação de um grande número de transístores num único chip. Um IC 3D proporciona um efeito positivo tanto na execução como no comprimento do fio em um sistema de energia. Um circuito integrado tridimensional se tornaria um processo em desenvolvimento onde os atrasos de conexão e a energia são reduzidos. As várias camadas de CI 3D que foram ligadas poderiam ser realizadas utilizando silício através do método. Ele oferece melhor desempenho do que a abordagem convencional, devido à diminuição do comprimento e do consumo de energia. Uma técnica de mecanismo de acesso de teste se tornou significativa devido ao impacto do custo de roteamento do afundamento. Se um grande número de TSV foi empregado, então ele leva a um consumo de área superior e aumenta o custo final do chip. A distribuição desigual do TSV ocorre devido ao procedimento do estrato de ligação. Ele afeta não apenas a área, mas também o comprimento do fio e a temperatura. Na fase de encaminhamento, através do silício via poderia ser feito identificando o espaço em branco a partir do sistema de circuitos integrados.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. &Uumlber den AutorrnrnDr. K. PANDIARAJ wurde im Mai 1985 in Muhavoor, Tamil Nadu, Indien, geboren. Im Jahr 2006 erwarb er einen B.E. in Elektronik und Kommunikationstechnik an der Anna University, Chennai, 2008 einen M.Tech in VLSI DESIGN an de.…

Condizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine grosse Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefuegt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausfuehrung als auch auf d.…

Taschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Die Very Large Scale Integration (VLSI) ist ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine große Anzahl von Transistoren auf einem einzigen Chip zusammengefügt wird. Ein 3D-IC wirkt sich sowohl auf die Ausführung als auch auf die Kabellänge in einem Stromversorgungssystem positiv aus. Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis wird zu einem Entwicklungsprozess, bei dem Verbindungsverzögerungen und Stromverbrauch reduziert werden. Die verschiedenen Schichten des 3D-IC, die miteinander verbunden sind, können durch die Verwendung der Silizium-Via-Methode hergestellt werden. Sie bietet aufgrund der geringeren Länge und des geringeren Stromverbrauchs eine bessere Leistung als der herkömmliche Ansatz. Ein Testzugriffsverfahren ist aufgrund der Auswirkungen der sinkenden Routingkosten von Bedeutung. Wenn eine große Anzahl von TSVs verwendet wird, führt dies zu einem höheren Flächenverbrauch und erhöht die endgültigen Chipkosten. Die ungleichmäßige Verteilung der TSV wird durch das Bonding-Stratum-Verfahren verursacht. Dies wirkt sich nicht nur auf die Fläche, sondern auch auf die Drahtlänge und die Temperatur aus. In der Routing-Phase könnten die Siliziumdurchkontaktierungen durch die Identifizierung von Leerräumen im integrierten Schaltkreissystem erfolgen.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 212 pp. Deutsch.…