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introduction junctionless double gate di dhiman gaurav (8 risultati)
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2019, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
Da: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 39,90
Convertire valutaEUR 15,00 per la spedizione da Germania a ItaliaQuantità: 2 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 60 pp. Englisch.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.
Valutazione del venditore 4 su 5 stelle
EUR 57,46
Convertire valutaEUR 7,76 per la spedizione da U.S.A. a ItaliaQuantità: 4 disponibili
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
Da: Revaluation Books, Exeter, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
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Convertire valutaEUR 11,49 per la spedizione da Regno Unito a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloPaperback. Condizione: Brand New. 60 pages. 8.66x5.91x0.14 inches. In Stock.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
EUR 34,25
Convertire valutaEUR 9,70 per la spedizione da Germania a ItaliaQuantità: Più di 20 disponibili
Aggiungi al carrelloCondizione: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Dhiman GauravGaurav Dhiman was born in Pathankot, India, in1981. He received the B.Tech. degree in Electronics and Communicationengineering from the Punjab Technical University, Jalandhar, India, in 2003,and the M.Tech. and Ph.D. deg.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing Mrz 2019, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
Da: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Germania
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 39,90
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Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc. 60 pp. Englisch.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
EUR 40,89
Convertire valutaEUR 14,99 per la spedizione da Germania a ItaliaQuantità: 1 disponibili
Aggiungi al carrelloTaschenbuch. Condizione: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
Da: Majestic Books, Hounslow, Regno Unito
Valutazione del venditore 5 su 5 stelle
EUR 57,75
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Lingua: Inglese
Da: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Germania
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EUR 59,39
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