Ishiwara hiroshi (54 risultati)
Editore: J Applied Physics, 1972
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Lingua: Inglese
Editore: Dordrecht, Springer., 2016
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XVIII, 347 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
Lingua: Inglese
Editore: Singapore, Springer., 2020
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2nd ed. 2020. XIV, 425 p. Hardcover. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Topics in Applied Physics, 131. Sprache: Englisch.
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Device Physics and Applications.
Park, Byung-Eun/Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Sakai, Shigeki/Yoon, Sung-Min (Hrsg.)
Lingua: Inglese
Editore: Singapore, Springer Singapore., 2021
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2nd ed. 2020. 16 x 24 cm. XIV, 425 S. XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color. Softcover (Topics in Applied Physics). Sprache: Englisch.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2016
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Ferroelectric Random Access Memories. Fundamentals and Applications.
Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Arimoto, Yoshihiro (Hrsg.)
Lingua: Inglese
Editore: Berlin/ Heidelberg, Springer Berlin., 2004
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2004. 16 x 24 cm. XIII, 291 S. XIII, 291 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. (Topics in Applied Physics). Sprache: E…nglisch.
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Editore: SPRINGER NATURE, 2016
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Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 347 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Editore: Springer, 2018
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Editore: Springer, 2021
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Editore: Springer, 2018
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | xviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9789402414165 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[a…t]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer, 2018
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric… memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Editore: Springer, 2020
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory… has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Editore: Springer, 2021
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Editore: Springer, 2021
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiv | Englisch | 2021 | Springer | EAN 9789811512148 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelbe…rg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer, 2020
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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Editore: Springer, 2018
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Editore: Springer, 2018
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Editore: Springer, Springer, 2021
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric… memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Editore: Springer Nature, 2021
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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Editore: Springer, 2004
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Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications (Topics in Applied Physics, 93)
Ishiwara, Hiroshi [Editor]; Okuyama, Masanori [Editor]; Arimoto, Yoshihiro [Editor];
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Editore: Springer, 2004
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hardcover. Condizione: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title.
Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications (Topics in Applied Physics, 93)
Ishiwara, Hiroshi [Editor]; Okuyama, Masanori [Editor]; Arimoto, Yoshihiro [Editor];
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2021
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Ferroelectric Random Access Memories : Fundamentals and Applications
Ishiwara, Hiroshi; Okuyama, Masanori (EDT); Arimoto, Yoshihiro
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2010
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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Editore: Springer, 2004
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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Ferroelectric Random Access Memories : Fundamentals and Applications
Ishiwara, Hiroshi; Okuyama, Masanori (EDT); Arimoto, Yoshihiro
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2010
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Editore: Springer, 2010
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Ferroelectric Random Access Memories | Fundamentals and Applications | Hiroshi Ishiwara (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642073847 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[do…t]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer, 2010
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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Ferroelectric Random Access Memories : Fundamentals and Applications
Ishiwara, Hiroshi; Okuyama, Masanori (EDT); Arimoto, Yoshihiro
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2010
- Brossura
Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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