Ishiwara hiroshi (58 risultati)
Editore: J Applied Physics, 1972
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- Periodico
Da: Larry W Price Books, Portland, OR, U.S.A.Larry W Price Books
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Pamphlet. Condizione: Very Good. Vol 43, No 3, pp. 1268-1273, Illus, 4to, Extracted from orig vol, thus begins with title page, trimmed & stapled pamphlet, else VG.
Lingua: Inglese
Editore: Dordrecht, Springer., 2016
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, GermaniaUniversitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH
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XVIII, 347 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
Lingua: Inglese
Editore: Singapore, Springer., 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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2nd ed. 2020. XIV, 425 p. Hardcover. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Topics in Applied Physics, 131. Sprache: Englisch.
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Device Physics and Applications.
Park, Byung-Eun/Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Sakai, Shigeki/Yoon, Sung-Min (Hrsg.)
Lingua: Inglese
Editore: Singapore, Springer Singapore., 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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2nd ed. 2020. 16 x 24 cm. XIV, 425 S. XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color. Softcover (Topics in Applied Physics). Sprache: Englisch.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2016
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Hardcover. 347 S. Ex-library with stamp and library-signature in good condition, some traces of use. C-00991 9789402408393 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
Ferroelectric Random Access Memories. Fundamentals and Applications.
Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Arimoto, Yoshihiro (Hrsg.)
Lingua: Inglese
Editore: Berlin/ Heidelberg, Springer Berlin., 2004
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 8 di 37. Libro 8 di 37 - Topics in Applied Physics
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2004. 16 x 24 cm. XIII, 291 S. XIII, 291 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. (Topics in Applied Physics). Sprache: E…nglisch.
Lingua: Inglese
Editore: SPRINGER NATURE, 2016
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Buchpark, Trebbin, GermaniaBuchpark
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Condizione: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 347 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Books Puddle, New York, NY, U.S.A.Books Puddle
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Condizione: New. pp. 365.
Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
Park, Byung-eun (EDT); Ishiwara, Hiroshi (EDT); Okuyama, Masanori (EDT); Sakai, Shigeki (EDT); Yoon, Sung-min (EDT)
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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Editore: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Majestic Books, Hounslow, Regno UnitoMajestic Books
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Condizione: New. pp. 365.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | xviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9789402414165 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[a…t]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Editore: Springer, 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
Park, Byung-eun (EDT); Ishiwara, Hiroshi (EDT); Okuyama, Masanori (EDT); Sakai, Shigeki (EDT); Yoon, Sung-min (EDT)
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Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Editore: Springer, 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Editore: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric… memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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Paperback. Condizione: Brand New. reprint edition. 347 pages. 9.25x6.10x0.83 inches. In Stock.
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Editore: Springer Nature Singapore, Springer Nature Singapore, 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Buch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory… has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: preigu, Osnabrück, Germaniapreigu
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Taschenbuch. Condizione: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiv | Englisch | 2021 | Springer | EAN 9789811512148 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelbe…rg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 26 di 37. Libro 26 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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EUR 200,15
EUR 29,27 spedizioneSpedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
paperback. Condizione: New. New. book.
Lingua: Inglese
Editore: Springer, Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, GermaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 168,73
EUR 63,32 spedizioneSpedito da Germania a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Taschenbuch. Condizione: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric… memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Lingua: Inglese
Editore: Springer Nature, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Revaluation Books, Exeter, Regno UnitoRevaluation Books
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EUR 238,88
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Paperback. Condizione: Brand New. 2nd edition. 439 pages. 9.25x6.10x1.06 inches. In Stock.
Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications (Topics in Applied Physics, 93)
Ishiwara, Hiroshi [Editor]; Okuyama, Masanori [Editor]; Arimoto, Yoshihiro [Editor];
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2004
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 8 di 37. Libro 8 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, U.S.A.BennettBooksLtd
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EUR 252,80
EUR 6,10 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: 1 disponibili
hardcover. Condizione: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title.
Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications (Topics in Applied Physics, 93)
Ishiwara, Hiroshi [Editor]; Okuyama, Masanori [Editor]; Arimoto, Yoshihiro [Editor];
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Editore: Springer, 2004
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 8 di 37. Libro 8 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, U.S.A.BennettBooksLtd
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EUR 252,80
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hardcover. Condizione: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title.
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Editore: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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EUR 230,29
EUR 29,27 spedizioneSpedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Paperback. Condizione: New. New. book.
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Editore: Springer, 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 30 di 37. Libro 30 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Mispah books, Redhill, SURRE, Regno UnitoMispah books
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EUR 271,29
EUR 29,27 spedizioneSpedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: 1 disponibili
Hardcover. Condizione: New. NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
Ferroelectric Random Access Memories : Fundamentals and Applications
Ishiwara, Hiroshi; Okuyama, Masanori (EDT); Arimoto, Yoshihiro
Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 8 di 37. Libro 8 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: GreatBookPrices, Columbia, MD, U.S.A.GreatBookPrices
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EUR 2,32 spedizioneSpedito in U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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Lingua: Inglese
Editore: Springer, 2004
Serie: Topics in Applied Physics, Libro 8 di 37. Libro 8 di 37 - Topics in Applied Physics
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Da: Ria Christie Collections, Uxbridge, Regno UnitoRia Christie Collections
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EUR 14,02 spedizioneSpedito da Regno Unito a U.S.A.Quantità: Più di 20 disponibili
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